【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光掩模数据处理技术，用以避免由于半导体制造工艺中步进器的分辨力不足所造成的晶片图形退化。特别地，本专利技术涉及在产生光掩模数据的几何对象图形中使用的掩模图形产生方法和掩模图形产生装置。
技术介绍
在处理光掩模数据以避免晶片上图形退化的光学邻近校正(OPC)中，确保光掩模数据中定义的最小线宽和最小间隔是必不可少的。在现有的掩模CAD处理技术中，逐步地测量图形线宽和图形间隔。然后，根据校正表针对上述尺寸的每个值进行计算。例如，如图5所示，在确保最小图形线宽使小于140nm的图形线宽(L)l设置为140nm的情形下，线宽校正(δ)2如下设置。●当检测到边缘线宽大于或等于130nm且小于132nm时，将宽度增加10nm。●当检测到边缘线宽大于或等于132nm且小于134nm时，将宽度增加8nm。……●当检测到边缘线宽大于或等于138nm且小于140nm时，将宽度增加2nm。如此地，根据每个图形线宽1的值进行线宽校正。另一方面，如图6所示，在确保最小图形间隔使小于180nm的图形间隔(S)3设置为l80nm的情形下，线宽校正(δ)4如下设置。●当检测到边缘...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种借助晶片工艺中的投影光学系统在晶片上形成所需掩模图形的掩模图形产生方法，包括以下步骤测量掩模图形的线宽；产生相对于掩模图形的线宽边缘之间的中心具有预定宽度的中心几何对象；以及使用中心几何对象使掩模图形变形。2.一种借助晶片工艺中的投影光学系统在晶片上形成所需掩模图形的掩模图形产生方法，包括以下步骤测量掩模图形的间隔；产生相对于掩模图形的间隔边缘之间的中心具有预定宽度的中心几何对象；以及使用中心几何对象使掩模图形变形。3.一种掩模图形产生方法，包括借助晶片工艺中的投影光学系统处理要在晶片上产生的光掩模数据并由此产生所需掩模图形的掩模图形校正步骤，其中掩模图形校正步骤包括以下步骤测量掩模图形的线宽；提取掩模图形的线宽小于预定尺寸处的边缘；产生相对于线宽小于预定尺寸的边缘之间的中心...
【专利技术属性】
技术研发人员：山际实，谷本正，三坂章夫，日野上丽子，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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