防止阻挡层被过度蚀刻的方法与结构及其应用技术

本发明专利技术公开了一种防止阻挡层被过度蚀刻的方法及半导体结构，其可以减缓阻挡层在后续硼磷硅玻璃蒸汽步骤中厚度变薄，该方法包括步骤：提供一形成有多个栅极结构的半导体基底；保形地形成一阻挡层覆盖该多个栅极结构；保形地形成一保护介电层于该阻挡层上；以及形成一层间介电层覆盖该多个栅极结构并填满该多个栅极结构之间。本发明专利技术还公开了使用该方法形成接触窗的方法。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型的半导体工艺，特别涉及一种防止阻挡层被过度蚀刻的方法。
技术介绍
在对于提高集成电路的封装密度和减少芯片尺寸的不断努力中，不同图案层之间的对准误差是主要的障碍所在，因此发展了许多自对准(self-aligned)工艺，用以缩减组件之间的距离，增加组件的密集度。以目前无边界接触窗(borderless contact)的工艺为例，如图1A所示，其在形成有多个栅极结构G的半导体基板10上进行，上述多个栅极结构G在形成源极、漏极区后再保形地覆盖一层阻挡层14，其多为氮氧化物(oxynitride)，用作后续形成硼磷硅玻璃(Borophosphosilicate glass；BPSG)层时离子扩散的阻挡层以及在后续形成接触窗时的蚀刻终止层。接着，一层间介电层(ILD)12，通常为硼磷硅玻璃(BPSG)，覆盖上述多个栅极结构G并填满栅极之间的空隙。为了更清楚地显示接触窗的部分，参照图1B和1C。图1B和1C示出现有无边界接触窗工艺中接触窗的截面图。在上述层间介电层12上形成光致抗蚀剂层PR后，以光刻技术以及蚀刻步骤在栅极之间的开口形成图1C中的接触窗16。然而，在上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止阻挡层被过度蚀刻的方法，其包括：提供一形成有多个栅极结构的半导体基底；保形地形成一阻挡层覆盖该多个栅极结构；保形地形成一保护介电层于该阻挡层上；以及　形成一层间介电层覆盖该多个栅极结构并填满该多个栅极 结构之间。

【技术特征摘要】
1.一种防止阻挡层被过度蚀刻的方法，其包括提供一形成有多个栅极结构的半导体基底；保形地形成一阻挡层覆盖该多个栅极结构；保形地形成一保护介电层于该阻挡层上；以及形成一层间介电层覆盖该多个栅极结构并填满该多个栅极结构之间。2.如权利要求1所述的防止阻挡层被过度蚀刻的方法，其中还包括在该半导体基底上、该多个栅极之间形成源极/漏极区。3.如权利要求1所述的防止阻挡层被过度蚀刻的方法，其中该阻挡层为氮氧化物。4.如权利要求1所述的防止阻挡层被过度蚀刻的方法，其中该保护介电层为未掺杂的硅玻璃。5.如权利要求1所述的防止阻挡层被过度蚀刻的方法，其中该保护介电层为硼硅玻璃。6.如权利要求1所述的防止阻挡层被过度蚀刻的方法，其中该层间介电层为硼磷硅玻璃。7.一种形成接触窗的方法，其步骤包括提供一形成有多个栅极结构，且该多个栅极结构之间形成有源极/漏极掺杂区的半导体基底；保形地形成一阻挡层覆盖该多个栅极结构；保形地形成一保护介电层于该阻挡层上；形成一层间介电层覆盖该多个栅极结构并填满该多个栅极结构之间；以及以光刻及蚀刻移除在该多个栅极结构之间的该层间介电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫勇贤，顾家麟，萧世崇，林炳宏，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]