【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管的制作技术，尤指一种低温多晶硅薄膜晶体管的CMOS制程改良。
技术介绍
随着薄膜晶体管(thin-film transistors；TFTs)制作技术的快速进步，具备了轻薄、省电和无幅射线等优点的液晶显示器(liquid crystaldisplay；LCD)已大量应用于计算机、个人数字助理器(PDA)、手表、笔记型电脑、数码相机、液晶显示器和移动电话等各式电子产晶。再加上业界积极的投入研发以及采用大型化的生产设备，使液晶显示器的生产成本不断下降，更令液晶显示器的需求量大增。目前的TFTLCD分为非晶硅(a-Si)薄膜晶体管液晶显示器与多晶硅(Poly-Si)薄膜晶体管液晶显示器二种。低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon；LTPS)是新一代薄膜晶体管液晶显示器制造流程，所谓低温多晶硅(LTPS)技术主要是通过雷射退火制程(Laser Anneal)将a-Si的薄膜转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜层。多晶硅的晶体管电子移动速度较非晶硅提高百倍，具有显示画面反映速度快、高亮度和高解...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管的ＣＭＯＳ制作方法，其特征是：包括： 在一绝缘基板上形成欲作为一Ｎ－ＴＦＴ和一Ｐ－ＴＦＴ的多晶硅岛状物； 于该绝缘基板上依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层； 图案化该栅极金属层，以形成该Ｎ－ＴＦＴ的栅极金属和该Ｐ－ＴＦＴ的栅极金属罩，其中，该栅极金属罩将位于整个该Ｐ－ＴＦＴ区域的该多晶硅岛状物的部份完全罩住； 以该Ｎ－ＴＦＴ的栅极金属和该Ｐ－ＴＦＴ的栅极金属罩作为罩幕，对该多晶硅岛状物进行Ｎ－离子植入步骤，形成该Ｎ－ＴＦＴ的Ｎ－区域； 形成一光阻图案于该Ｎ－ＴＦＴ的栅极金属和该Ｐ－ＴＦＴ的栅极金属罩上，其中该光阻图案的一...
【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的CMOS制作方法，其特征是包括在一绝缘基板上形成欲作为一N-TFT和一P-TFT的多晶硅岛状物；于该绝缘基板上依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层；图案化该栅极金属层，以形成该N-TFT的栅极金属和该P-TFT的栅极金属罩，其中，该栅极金属罩将位于整个该P-TFT区域的该多晶硅岛状物的部份完全罩住；以该N-TFT的栅极金属和该P-TFT的栅极金属罩作为罩幕，对该多晶硅岛状物进行N-离子植入步骤，形成该N-TFT的N-区域；形成一光阻图案于该N-TFT的栅极金属和该P-TFT的栅极金属罩上，其中该光阻图案的一部份定义出该P-TFT的栅极金属，而该光阻图案的另一部份罩覆住该N-TFT的栅极金属以及邻接的部份栅极绝缘层表面，以定义出该N-TFT的LDD结构；对该多晶硅岛状物进行N+离子植入，形成该N-TFT的S/D区域，蚀刻未被该光阻图案遮盖住的该栅极金属罩部份，形成该P-TFT的栅极金属；以该光阻图案和该P-TFT的栅极金属作为罩幕，对该多晶硅岛状物进行P+离子植入，形成该P-TFT的S/D区域；剥除该光阻图案；以及形成该N-TFT和该P-TFT的S/D金属电极。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征是所使用的N+剂量和P+剂量先经过适当调配，以便使该N-TFT的N+区域在经该P+离子植入步骤后，仍保持N+掺杂类型和低阻值特性。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征是在形成该光阻图案于该N-TFT的栅极金属和该栅极金属罩上的步骤时，使形成在该N-TFT的栅极金属上的该光阻图案的位置与该N-TFT的栅极金属相对称，以便形成对称型的N-TFT的S/D区域。4.如权利要求1所述的制作方法，其特征是在形成该光阻图案于该N-TFT的栅极金属和该栅极金属罩上的步骤时，使形成在该N-TFT的栅极金属上的该光阻图案的位置不对称于该N-TFT的栅极金属，以便形成不对称型的N-TFT的S...
【专利技术属性】
技术研发人员：林昆志，陈坤宏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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