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低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法技术
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文档序号:3207808
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一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法,在一绝缘基板上形成欲作为N-TFT和P-TFT的多晶硅岛状物;依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层;图案化栅极金属层以形成N-TFT的栅极金属和P-TFT的栅极金属罩;对多晶硅岛状物进行N-离子植入步骤,形...
该专利属于友达光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。
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