接触孔形成方法、薄膜半导体装置的制法、电子器件及其制法制造方法及图纸

一种不使用真空装置形成接触孔的方法，将与多晶硅膜（１４）的源极区域（１６）、漏极区域（１８）及栅电极（３４）之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光，显影，形成掩模柱（４０）。之后，在除去了掩模柱（４０）的整个玻璃基板（１０）上涂敷液体绝缘材料，形成绝缘层（４２）。接着，灰化除去掩模柱（４０），形成可以贯通绝缘层（４２）、栅极绝缘膜（２６）的第２接触孔（４４）、第１接触孔（２８）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成于半导体装置的层间绝缘膜等上的接触孔的形成方法以及薄膜半导体装置的制造方法、电子器件的制造方法、电子器件。
技术介绍
近年来，作为电子器件的半导体装置，为了实现高集成化正在进行布线的多层化。而且，具有多层布线的半导体装置，在通过层间绝缘膜电连接配设的上下布线图案时，是在层间绝缘膜上形成接触孔，通过该接触孔来进行的。以往，接触孔一般如专利文献1所述，如下那样地形成。首先，在基板上成膜金属等导电材料，并对其进行蚀刻以形成下层布线层。接着，在下层布线层之上形成层间绝缘膜。然后，在层间绝缘膜之上涂敷光致抗蚀剂膜(photo resist)，利用光刻法(photolithography)将其曝光、显影，使对应于接触孔的部分开口以形成抗蚀膜。接下来，将抗蚀膜作为掩模干法蚀刻层间绝缘膜，通过设置贯通了层间绝缘膜的开口，从而形成接触孔。之后，除去抗蚀膜，在层间绝缘膜上形成借助接触孔与下层布线层电连接的上层布线层。(专利文献1)特开2001-267320号公报如上所述，以往的接触孔是通过在绝缘膜之上涂敷光致抗蚀剂并形成图案，将已形成图案的抗蚀膜作为掩模干法蚀刻绝缘膜，在绝缘膜上设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触孔形成方法，形成用于电连接隔着绝缘膜设置的第１导电部与第２导电部的接触孔，其特征在于，具有：在上述第１导电部上的接触孔的形成区域上设置掩模部件的掩模形成工序；在已除去上述掩模部件的整个基板上形成绝缘膜的绝缘膜 形成工序；和除去上述掩模部件，在上述绝缘膜上形成贯通孔的掩模部件除去工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-17 2003-072498;JP 2004-1-21 2004-0132281.一种接触孔形成方法，形成用于电连接隔着绝缘膜设置的第1导电部与第2导电部的接触孔，其特征在于，具有在上述第1导电部上的接触孔的形成区域上设置掩模部件的掩模形成工序；在已除去上述掩模部件的整个基板上形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；和除去上述掩模部件，在上述绝缘膜上形成贯通孔的掩模部件除去工序。2.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述掩模形成工序具有在整个上述基板上形成由上述掩模部件构成的掩模部件膜的成膜工序；和除去掩模部件膜的不要部分，只在上述接触孔的形成区域上残留上述掩模部件膜的图案形成工序。3.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述掩模形成工序具有选择性地向上述接触孔的形成区域供给含有掩模形成材料的液体材料的选择涂敷工序；和固化已涂敷的上述液体材料的固化工序。4.根据权利要求3所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述选择涂敷工序通过使用液滴喷出装置的液滴喷出法来进行。5.根据权利要求3或4所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述掩模形成工序具有将上述接触孔的形成区域亲液化，将其周围疏液化的表面处理工序，所述选择涂敷工序在上述表面处理工序以后进行。6.根据权利要求3～5中任一项所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由有机材料构成，在上述选择涂敷工序中选择性地向上述接触孔的形成区域供给液体有机材料，在所述固化工序中固化涂敷完的上述液体有机材料。7.根据权利要求2所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由有机材料构成，上述成膜工序具有涂敷液体有机材料的涂敷工序；和固化上述液体有机材料，以形成有机膜的固化工序，上述图案形成工序具有曝光上述有机膜的曝光工序；和显影已曝光的上述有机膜的显影工序。8.根据权利要求6或7所述的接触孔形成方法，其特征在于，具有将设于上述接触孔的形成区域上的上述掩模部件配置于实质上不存在氧与水的气氛下，一边将上述掩模部件加热到所定温度，一边在掩模部件上照射紫外线的硬化工序。9.根据权利要求6或7所述的接触孔形成方法，其特征在于，具有将设于上述接触孔的形成区域上的上述掩模部件配置于减压条件下，一边将上述掩模部件加热到所定温度，一边在掩模部件上照射紫外线的硬化工序。10.根据权利要求8或9所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述硬化工序具有在上述紫外线的照射后，将所述掩模部件加热到上述所定温度以上的温度的热处理工序。11.根据权利要求6～10中任一项所述的接触孔形成方法，其特征在于，疏液处理上述掩模部件。12.根据权利要求2所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由无机材料构成，上述成膜工序通过在上述基板上全面形成无机掩模材料来形成上述掩模部件膜，上述图案形成工序将由上述无机材料构成的掩模部件膜进行图案形成。13.根据权利要求2所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由无机材料构成，上述成膜工序通过在上述基板上蒸镀或溅射无机掩模材料来形成上述掩模部件膜，上述图案形成工序光刻上述掩模部件膜。14.根据权利要求1～13中任一项所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述绝缘膜形成工序具有在上述基板上涂敷液体绝缘材料的绝缘材料涂敷工序；和固化涂敷完的上述液体绝缘材料的绝缘材料固化工序。15.根据权利要求14所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述绝缘材料固化工序是通过加热上述液体绝缘材料来进行。16.根据权利要求1～15中任一项所述的接触孔形成方法，其特征在于，上述绝缘膜包含第1及第2绝缘膜，包括在上述第1导电部上的接触孔形成区域上设置第1掩模部件的第1掩模部件形成工序；在已除去上述第1掩模部件的整个基板上形成第1绝缘膜的第1绝缘膜形成工序；除去上述第1掩模部件，在上述第1绝缘膜上形成第1贯通孔的第1掩模部件除去工序；在已形成于上述第1绝缘膜之上的第1贯通孔上设置第2掩模部件的第2掩模部件形成工序；在已除去上述第2掩模部件的整个第1绝缘膜上形成第2绝缘膜的第2绝缘膜形成工序；和除去上述第2掩模部件，在上述第2绝缘膜上形成与上述第1贯通孔同轴的第2贯通孔的第2掩模部件除去工序。17.根据权利要求1～15中任一项所述的接触孔形成方法，其特征在于，形成多层形成上述绝缘膜的结构，包括在上述第1导电部上的接触孔形成区域上设置第1掩模部件的第1掩模部件形成工序；在已除去上述第1掩模部件的整个基板上形成第1绝缘膜的第1绝缘膜形成工序；在上述第1掩模部件上设置第2掩模部件的第2掩模部件形成工序；在已除去上述第2掩模部件的整个第1绝缘膜上形成第2绝缘膜的第2绝缘膜形成工序；和除去上述第1掩模部件及第2掩模部件，在上述第1绝缘膜及第2绝缘膜上形成贯通孔的掩模部件除去工序。18.一种薄膜半导体装置的制造方法，在基板上形成薄膜半导体装置，其特征在于，具有在上述基板上形成含有源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤充，汤田坂一夫，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]