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接触孔形成方法、薄膜半导体装置的制法、电子器件及其制法制造方法及图纸
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下载接触孔形成方法、薄膜半导体装置的制法、电子器件及其制法的技术资料
文档序号:3207547
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一种不使用真空装置形成接触孔的方法,将与多晶硅膜(14)的源极区域(16)、漏极区域(18)及栅电极(34)之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光,显影,形成掩模柱(40)。之后,在除去了掩模柱(40)的整个玻璃基板(10)上涂敷液体...
该专利属于精工爱普生株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。
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