【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，更特别地，涉及在半导体制程中形成硅化物。
技术介绍
半导体装置可被使用在不同的应用中，例如个人计算机以及个人电话。半导体产业的趋势系将位在集成电路上的半导体装置的尺寸缩小。现今的半导体产品，通常需更微型化，以增加所需的电路密度。广泛使用在电子系统中，用于存储资料的半导体产品，系为半导体存储器装置，且半导体记体装置的一般形式系一动态随机存取存储器(DRAM)。典型的DRAM系包含在一数组中配置数百万或数十亿的个别DRAM胞元，每一胞元系存储一位的资料。DRAM存储单元典型系包含一存取场效晶体管(FET)以及一存储电容器。在读取与存写的操作过程中，该存取FET使得资料电荷转换至该存储电容器且自该存储电容器转换电荷。此外，在一更新操作过程中，该存储电容器上的该资料电荷系被周期性地更新。通过在一衬底上进行深沟渠的蚀刻，以形成DRAM存储电容器。沉积多层的导电与绝缘材料，以产生一存储电容器，其系用以存储一位的资料，以零或一表示。现有技术DRAM设计，典型系包含一存取FET，其系位于该存储电容器侧上的一后续层中。有些DRAM设计涉及直接设置该存取...
【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，该方法包含：提供一工件，该工件包含一半导体材料；在该工件中，形成至少一存储单元；形成至少一第一导线，以邻近该至少一存储单元，其中该第一导线提供存取至该至少一存储单元；在该至少一存储单 元与第一导线上，沉积一第一绝缘层；在该第一绝缘层上，沉积一第二绝缘层；在该第二绝缘层上，沉积一光阻；移除该光阻之一部分；蚀刻该第二绝缘层与该第一绝缘层，暴露该存储单元的至少一活性区域；以及在该暴露的活 性区域顶部表面上，形成一硅化物材料。
【技术特征摘要】
US 2003-2-28 10/3764611.一种制造半导体装置的方法，该方法包含提供一工件，该工件包含一半导体材料；在该工件中，形成至少一存储单元；形成至少一第一导线，以邻近该至少一存储单元，其中该第一导线提供存取至该至少一存储单元；在该至少一存储单元与第一导线上，沉积一第一绝缘层；在该第一绝缘层上，沉积一第二绝缘层；在该第二绝缘层上，沉积一光阻；移除该光阻之一部分；蚀刻该第二绝缘层与该第一绝缘层，暴露该存储单元的至少一活性区域；以及在该暴露的活性区域顶部表面上，形成一硅化物材料。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻该第二绝缘层与该第一绝缘层更包含暴露该第一导线的一顶部表面，以及其中形成一硅化物材料更包含在该第一导线顶部表面上，形成一硅化物材料。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一绝缘层包含硼磷硅玻璃(BPSG)，其中该第二绝缘层包含氮化硅。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻该第二绝缘层与该第一绝缘层包含在该第一导线的侧壁上，留下该第一绝缘层的一部份。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成一硅化物材料包含将该工件暴露于钴。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积一光阻且移除该光阻之一部分包含深紫外光(DUV)制程。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻该第二绝缘层与该第一绝缘层包含两步骤蚀刻制程，其中一步骤包含一非等向蚀刻。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该两步骤蚀刻制程包含第一蚀刻，其包含一主要的非等向蚀刻，以及第二蚀刻，其包含一主要的等向蚀刻。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含在至少该硅化物材料上，沉积一绝缘材料；在该硅化的活性区域上，将该绝缘材料形成开口；在该硅化的活性区域上，以一导电材料填充该开口；以及在该导电材料上，形成至少一第二导线。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该存储单元包含一动态随机存取存储器(DRAM)装置。11.一种制造存储器装置的方法，该方法包含提供一工件，该工件包含一半导体材料；在该工件中，形成至少一存储单元；形成至少一第一导线，以邻近该至少一存储单元，其中该第一导线提供存取至该至少一存储单元；在该至少一存储单元与第一导线上，沉积一第一绝缘层；在该第一绝缘层上，沉积一第二绝缘层；在该第二绝缘层上，沉积一光阻；移除该光阻之一部分；蚀刻该第二绝缘层与该第一绝缘层，暴露该第一导线的至少一顶部表面，在该第一导线的侧壁上，留下该第一绝缘层的一部分；在该第一导线顶部表面上，形成一硅化物材料；在至少该硅化物材料上，沉积一绝缘材料；在该活性区域上，将该绝缘材料形成开口；在该活性区域上，以一导电材料填充该开口；以及在该导电材料上，形成至少一第二导线。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，蚀刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：M科姆蒙斯，MF法亚滋，P文斯莱，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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