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本发明涉及用于存储器装置的选择性硅化方案。一种存储器装置及其制造方法，其中在一存储器装置之活性区域上，选择性地形成一硅化物材料。在选择性的硅化过程中，在邻接该活性区域的字符线之顶部表面上，形成一硅化物材料。使用单一氮化物绝缘层，且在硅化物材...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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