制作薄膜晶体管液晶显示器的方法技术

本发明专利技术涉及制作薄膜晶体管液晶显示器的方法，其中，在一优选实施例中，先在一基底的一栅极上依序形成一栅极绝缘层、一非晶硅层与一金属层，再在该金属层上形成一第一光阻层与一包含有一开口的第二光阻层。接着进行两次蚀刻制程，以形成一源极与一漏极。最后形成一保护层，覆盖于该基底上。本发明专利技术的制作方法可使由开口所暴露出的第一光阻层具有一均匀的表面，确保后续进行第二蚀刻制程时，不会发生过度蚀刻或蚀刻不足的问题，而所生成的源极与漏极的宽度也能符合产品规格，从而可大大提高产品生产率和优化制造工艺。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistorliquid crystal display，TFT LCD)的制作方法，特别是涉及一种利用一具有一均匀表面的凹形单一光阻层(photoresist layer with a slit)制作该液晶显示器的薄膜晶体管的方法。
技术介绍
随着电子信息产业的蓬勃发展，液晶显示器(liquid crystaldisplay，LCD)的应用范围以及市场需求也不断在扩大，从小型产品如电子血压计，到可携带式信息产品如个人数字助理(PDA)、笔记型计算机(notebook)，以至于未来非常可能商业化的大画面显示器，均可见到液晶显示器被广泛应用于其上。也由于液晶显示器的结构非常轻薄短小，同时又具有耗电量少以及无辐射污染的优点，因此其被广泛应用在上述民生及信息产品上。一般而言，一薄膜晶体管液晶显示器由数十或数百个薄膜晶体管液晶(thin film transistor，TFT)所构成。请参考图1至图4，图1至图4为现有制作一薄膜晶体管液晶显示器的薄膜晶体管的方法的示意图。如图1所示，首先提供一玻璃基底10，且玻璃基底10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在一基底上制作一薄膜晶体管液晶显示器的方法，该方法包含有下列步骤：在该基底上沉积一第一金属层；对该第一金属层进行一第一光蚀刻制程，以在该基底表面形成该薄膜晶体管的一栅极；依序在该栅极上形成一栅极绝缘层、一非晶硅层 与一第二金属层；在该第二金属层上形成一第一光阻层；在该第一光阻层上形成一第二光阻层，该第二光阻层包含有一开口，以暴露部分的该第一光阻层；利用该第一光阻层进行一第一蚀刻制程，以去除未被该第一光阻层所覆盖的该第二金属层与 该非晶硅层；利用该第二光阻层，透过该开口进行一第二蚀刻制程，去除未被该第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在一基底上制作一薄膜晶体管液晶显示器的方法，该方法包含有下列步骤在该基底上沉积一第一金属层；对该第一金属层进行一第一光蚀刻制程，以在该基底表面形成该薄膜晶体管的一栅极；依序在该栅极上形成一栅极绝缘层、一非晶硅层与一第二金属层；在该第二金属层上形成一第一光阻层；在该第一光阻层上形成一第二光阻层，该第二光阻层包含有一开口，以暴露部分的该第一光阻层；利用该第一光阻层进行一第一蚀刻制程，以去除未被该第一光阻层所覆盖的该第二金属层与该非晶硅层；利用该第二光阻层，透过该开口进行一第二蚀刻制程，去除未被该第二光阻层所覆盖的该第一光阻层与该开口下方的该第二金属层，以形成该薄膜晶体管的一源极与一漏极；以及在该基底上形成一保护层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该基底为一玻璃基底、石英基底或塑料基底。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，构成该第一与该第二金属层的材料包含有钨、铝、铬、铜、钛、氮化钛或钼。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该非晶硅层与该第二金属层之间另形成有一掺杂半导体层。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：许祝维，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]