【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关在一种显示组件及其制造方法，且特别是有关在一种。
技术介绍
有机电激发光显示器相比较液晶显示器，由于在不需要额外配置一个背光源，且仍兼具有液晶显示器轻薄易携带的优点，近年来在市场上逐渐受到重视。一般的有机电激发光显示器主要可分为主动矩阵式与简单矩阵式两大类型，以主动矩阵式有机电激发光显示组件来说，其具有可连续发光以及低电压驱动等优点。在主动矩阵式有机电激发光显示组件中，以非晶硅(amorphous silicon，a-Si)所制作出来的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)具有价格低廉的优势，且此种非晶硅的制造由于均匀性佳，更有利在大尺寸面板的制造。不过，非晶硅的薄膜晶体管由在受到材质特性的限制，所以制作出来的薄膜晶体管都是属于N型，此种型态的薄膜晶体管会有电路配接上的限制，其中一种配接方式是将薄膜晶体管的源极与有机电激发光二极管的阳极串接，但此种配接方式在有机电激发光显示组件中的跨压改变时，源极上的电压将会影响薄膜晶体管上的电流大小而导致电流不稳定。至于另外一种配接方式则是将薄膜晶体管的汲极与有机电激发光二极管的阴极串...
【技术保护点】
一种主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于包括：一个基板，一个透明导体层，配置在该基板上；一个保护层，配置在该透明导体层上；其中该保护层具有一个以上个开口以暴露出该透明导体层，且该开口形成一个像素区域；一个以上薄膜晶体管，对应这些开口而配置在该保护层上以形成一个薄膜晶体管数组，其中每一个薄膜晶体管至少具有一闸极、一源极以及一汲极；一个以上有机发光材料层，配置在该些开口中的该透明导体层上；以及一个以上金属电极层，配置在这些有机发光材料层上，且该些金属电极层电性连接这些汲极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于包括一个基板，一个透明导体层，配置在该基板上；一个保护层，配置在该透明导体层上；其中该保护层具有一个以上个开口以暴露出该透明导体层，且该开口形成一个像素区域；一个以上薄膜晶体管，对应这些开口而配置在该保护层上以形成一个薄膜晶体管数组，其中每一个薄膜晶体管至少具有一闸极、一源极以及一汲极；一个以上有机发光材料层，配置在该些开口中的该透明导体层上；以及一个以上金属电极层，配置在这些有机发光材料层上，且该些金属电极层电性连接这些汲极。2.根据权利要求1所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中有一些有机发光材料层是以电洞注入层、电洞传输层、有机发光层、电子传输层的顺序所堆栈配置。3.根据权利要求1所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中具有一个第二保护层，配置在该薄膜晶体管上。4.根据权利要求1所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中该透明导体层的材质包括铟锡氧化物或是铟锌氧化物。5.根据权利要求1所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中该金属电极层的材质包括氟化锂以及铝的复合层。6.根据权利要求1所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；包括一个基板；一个金属层，配置在该基板上；一保护层，配置在该金属层上，其中在该保护层与该金属层中具有一个以上开口以暴露出该基板，且该些开口形成相应的像素区域；一个以上薄膜晶体管，对应开口配置该保护层上以构成一个薄膜晶体管数组，其中每一个薄膜晶体管至少具有一闸极、一源极以及一汲极；一个以上个透明导体层，一个配置在这些开口中的该基板上；一个以上个有机发光材料层，一个配置在这些开口中的透明导体层上；以及一个以上金属电极层，一个配置在这些有机发光二极材料层上，且该金属电极层的电性连接该些汲极。7.根据权利要求6所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中每一个有机发光材料层是以电洞注入层、电洞传输层、有机发光层、电子传输层的顺序所堆栈配置。8.根据权利要求6所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中具有一个第二保护层，配置在该薄膜晶体管上。9.根据权利要求6所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中该透明导体层的材质包括铟锡氧化物或是铟锌氧化物。10.根据权利要求6所述的主动矩阵式有机电激发光显示组件，其特征在于；其中这些...
【专利技术属性】
技术研发人员：林巧茹，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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