用于混合信号RF应用和电路的集成电路结构制造技术

一种在单片ＩＣ上支持数字电路（４）、模拟电路（６）和ＲＦ电路（８）的集成电路（１２）。数字ＣＭＯＳ电路位于低电阻率层（１６）上，该低电阻率层提供良好的闩锁质量并允许密集的ＰＡＤ　　Ｉ／Ｏ。模拟ＣＭＯＳ电路位于高阻层（１４）上被隔离的阱区（２０）上，以最小化经由衬底的信号串扰。模拟ＢＪＴ器件也位于其自身的阱结构（２０）内的高阻区（１４）上，以最小化寄生电容并提供高频器件开关。ＲＦ无源元件，如电感器和电容位于高阻区（１４）上，以最小化尤其在高频下发生的信号损失。ＲＦ有源部件位于高阻区上，以最大化器件性能。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，更具体地，涉及单个微型芯片上支持数字电路、模拟电路和射频(RF)电路的集成电路.
技术介绍
非常需要能够支持数字、模拟和射频(RF)电路元件的单片集成电路(IC)。通过将这些电路类型中的每一个集成到单片IC上，就可能很大地改善用于无线和光通信应用的便携式RF装置的质量和成本。然而，这些不同电路类型的集成存在着几个独特的问题。例如，将这些不同器件类型的每一个设置在单片IC上经常导致经由IC衬底的电路间的互作用。在数字、模拟和RF电路元件被设置在同一衬底上时，这种互作用能够很大地劣化和抑制IC的所期望的工作。不同电路类型的不同噪声灵敏度产生另一个问题。模拟电路对由其它电路和器件产生的电噪声敏感。为了有效地起作用，模拟电路隔离于电噪声。另一方面，数字电路由于其数字特性对电噪声远不及模拟电路敏感。模拟器件的低电压摆动几乎不产生噪声。并且，模拟电路的电流基值(current bases)将噪声保持在低水平。结果，模拟电路产生低噪声水平。然而，数字电路由于器件的大干线至干线电压摆动而产生非常大量的电噪声。将模拟和数字电路元件集成到单片IC上典型地将模拟电路元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：高阻衬底；在所述高阻衬底上形成的布图的低电阻率埋层；在所述布图的低电阻率埋层上形成的数字电路；在所述高阻衬底上形成的模拟电路；在所述高阻衬底上形成的无源ＲＦ器件；以及围绕所 述数字电路的阱区。

【技术特征摘要】
US 2002-6-24 10/178,6721.一种集成电路，包括高阻衬底；在所述高阻衬底上形成的布图的低电阻率埋层；在所述布图的低电阻率埋层上形成的数字电路；在所述高阻衬底上形成的模拟电路；在所述高阻衬底上形成的无源RF器件；以及围绕所述数字电路的阱区。2.权利要求1的集成电路，还包括在所述高阻衬底上形成的有源RF器件。3.权利要求2的集成电路，其中所述布图的低电阻率埋层是p+埋层。4.权利要求2的集成电路，其中所述布图的低电阻率埋层是n+埋层。5.权利要求3的集成电路，其中所述无源RF器件被p-阱围绕。6.权利要求4的集成电路，其中所述无源RF器件被n-阱围绕。7.一种提高集成电路性能的方法，包括以下步...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文伶，詹姆斯基希格斯纳，戴维J蒙克，
申请(专利权)人：自由度半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]