【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电的数字数据处理装置领域的液晶显示器结构，特别是涉及一种在闸极金属层与其上方的金属层间配置一层或是多层含氢介电层，藉由含氢介电层中的氢原子对闸极绝缘层进行修补，进而可增进组件的效能，从而更加适于实用的薄膜晶体管阵列基板结构(TFT array，即薄膜电晶体阵列基板结构)。
技术介绍
针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体组件或人机显示装置的飞跃性进步。就显示器而言，阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)因为具有优异的显示品质与其经济性，一直独占近年来的显示器市场。然而，对于个人在桌上操作的多数终端机/显示器装置的环境，或是以环保的观点来看，若以节省能源的潮流加以预测，阴极射线管因为空间利用以及能源消耗上仍存在有很多问题，而对于轻、薄、短、小以及低消耗功率的需求无法有效提供解决之道。因此，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT LCD)已逐渐成为市场的主流。薄膜晶体管阵列基板(即薄膜电晶体阵列...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板结构，其特征在于其包括一透明基板；复数个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管配置于该透明基板上，其中每一该些薄膜晶体管包括一闸极与一源极/汲极；复数个扫描配线，配置于该透明基板上，且该些扫描配线与该些闸极连接；复数个资料配线，配置于该透明基板上，且该些资料配线与该些源极/汲极电性连接；至少一含氢介电层，该含氢介电层配置于该透明基板上，并覆盖住该些薄膜晶体管；以及一图案化导体层，该图案化导体层配置于该含氢介电层上，且该图案化导体层是与该些源极/汲极电性连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板结构，其特征在于其中所述的含氢介电层是选自于由有机材料层、含水的旋涂式玻璃、氧硅化物，以及氮硅化物所组成的族群。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板结构，其特征在于其中所述的含氢介电层是为一含有Si-H键结或是Si-OH键结的薄膜。4.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志宏，陆一民，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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