【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率半导体器件加工领域，特别涉及一种掺氧半绝缘多晶硅和聚酰亚胺复合钝化工艺。
技术介绍
一般半导体台面器件表面常用SiO2、Si3N4、磷硅玻璃(PSG)以及非晶硅氢(α-Si:H)半绝缘膜进行钝化。但这些钝化膜有着许多不足。SiO2钝化膜内存在固定电荷和可动钠离子；Si3N4与Si之间的应力较大，易与Si器件表面形成高密度的表面缺陷；PSG易吸潮且在高温下会释放出钠离子；α-Si:H虽然钝化效果较好，但当热处理温度高于200℃时，造成H的溢出，大大降低了其钝化能力。掺氧半绝缘多晶硅膜的出现使得器件钝化，但单独掺氧半绝缘多晶硅膜不能阻挡钠离子，因此需要在掺氧半绝缘多晶硅膜外覆盖一层有机膜来达到保护掺氧半绝缘多晶硅膜的目的。因此，在美国专利(No.US5,661,079)中，采用掺氧SIPOS+掺氮SIPOS+SiO2的复合钝化结构。美国专利(No.US2002/0130330 A1)中，采用掺氧SIPOS+SiO2的复合钝化结构。美国专利(No.US4,297,149)中，在金属化前对掺氧SIPOS进行退火处理，以改善其钝化效果。这样会增加制造成...
【技术保护点】
一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺，其特征在于，利用直流辉光放电的方法，在半导体器件的终端台面上淀积一层掺氧半绝缘多晶硅膜，再在掺氧半绝缘多晶硅膜上涂敷聚酰亚胺，使半导体台面器件钝化；包括以下步骤： １）将经台面造型的硅台面半导体器件作常规的终端台面造型并进行常规的腐蚀、清洗； ２）将前述管芯在配比为１∶８∶８的ＨＦ∶ＨＮＯ↓［３］∶Ｈ↓［２］Ｏ混合液中处理１－２分钟。 ３）将前述处理后的管芯作常规的清洗后烘干或用Ｎ↓［２］气吹干、备用。 ４）将电阻率大于５００Ω.ｃｍ的高阻硅单晶作为溅射源放在真空反应室内的阴极板上，将钝化的硅半导体台面器件放在阳极...
【技术特征摘要】
1.一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺，其特征在于，利用直流辉光放电的方法，在半导体器件的终端台面上淀积一层掺氧半绝缘多晶硅膜，再在掺氧半绝缘多晶硅膜上涂敷聚酰亚胺，使半导体台面器件钝化；包括以下步骤1)将经台面造型的硅台面半导体器件作常规的终端台面造型并进行常规的腐蚀、清洗；2)将前述管芯在配比为1∶8∶8的HF∶HNO3∶H2O混合液中处理1-2分钟。3)将前述处理后的管芯作常规的清洗后烘干或用N2气吹干、备用。4)将电阻率大于500Ω·cm的高阻硅单晶作为溅射源放在真空反应室内的阴极板上，将钝化的硅半导体台面器件放在阳极板上，两个平行极板的间距为3cm～8cm；5)用铝制挡板将待钝化的硅半导体台面器件的阴极电接触遮挡，即只露出器件的台面部分。6)在真空反应室内充溅射气体氩气和氧气混合气体，氩...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱长纯，王颖，刘君华，吴春瑜，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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