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本发明公开了一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺，利用直流辉光放电法，在半导体器件的终端台面上淀积一层掺氧半绝缘多晶硅膜，再在掺氧半绝缘多晶硅膜上涂敷聚酰亚胺，达到钝化半导体台面器件的目的。采用本发明所提供的复合钝化工艺得到的硅半导体台面器件...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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