液晶显示器及其薄膜晶体管板制造技术

本发明专利技术公开了一种液晶显示器及其薄膜晶体管板，薄膜晶体管板包括，基板，形成在基板上并沿第一方向延伸的多条数据线，形成在基板上并沿第二方向延伸的多条栅极线。多条栅极线和多条数据线相交以形成多个像素区域，多个像素区域中的每个具有多折带的形状。多个像素电极中的每个形成在相应像素区域内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器及用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是广泛使用的平板显示器之一。LCD包括插在设置有场发生电极的两个平板之间的液晶(LC)层。LCD通过对场发生电极施加电压以在LC层中产生电场来显示图像，该电场确定LC层中LC分子的取向以调整入射光的偏振。LCDs的缺陷是其视角狭窄。已提出各种用于扩大视角的技术，包括利用垂直排列LC和在场发生电极如像素电极和公共电极处设置缺口或凸起的技术。由于缺口和凸起减小孔径比，因此缺口和凸起所占面积必须最小化。然而，缺口和凸起的宽度应比预定值大且缺口和凸起之间的距离应比预定值要小，以获得由缺口和凸起所限定的稳定LC区域以及LC的低响应时间。相应地，对于液晶显示器的薄膜晶体管板要求在确保稳定LC区域和低响应时间的同时提供扩大的视角。
技术实现思路
根据本专利技术实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管板包括个基板、形成在该基板上并沿第一方向延伸的多条数据线、形成在该基板上并沿第二方向延伸的多条栅极线。该多条栅极线与该多条数据线相交以形成多个像素区域，该多个像素区域中的每个具有多折带的形状。多个像素电极的每个像素电极形成在相应的该像素区域内。根据本专利技术实施例的液晶显示器包括薄膜晶体管板、公共电极板和插入薄膜晶体管板和公共电极板之间的液晶层。所述薄膜晶体管板包括第一基板、形成在该基板上并沿第一方向延伸的多条数据线、以及形成在该基板上并沿第二方向延伸的多条栅极线。多条栅极线与多条数据线相交以形成多个像素区域。多个像素区域中的每一个都具有多折带的形状。多个像素电极中的每个都形成在相应的像素区域。所述公共电极板包括第二基板、形成在第二基板上的黑矩阵、以及形成在黑矩阵上的公共电极。根据本专利技术实施例形成液晶显示器的薄膜晶体管的方法包括，在基板上形成多条数据线，该多条数据线沿第一方向延伸，在基板上形成多条栅极线，所述多条栅极线沿第二方向延伸并与多条数据线相交以形成多个像素区域。多个像素区域中的每一个都具有多折带的形状。在多个像素区的每一个中都形成像素电极。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的实施例将使本专利技术变得更清楚，其中图1为根据本专利技术典型实施例的LCD布局图；图2为图1中所示的LCD沿线II-II’截取的截面图；图3为图1中所示的LCD沿线III-III’和III’-III”截取的截面图；图4A、4B、5A和5B为根据本专利技术典型实施例，图1至3所示的TFT阵列板在其制造方法各步骤中的截面图；图6为根据本专利技术另一典型实施例的LCD的布局图；图7为图6中所示的LCD沿线VII-VII’截取的截面图；图8为图6中所示的LCD沿线VIII-VIII’和VIII’-VIII”截取的截面图；图9A、9B、10A、10B、11A和11B为根据本专利技术典型实施例，图6至8所示的TFT阵列板在其制造方法各步骤中的截面图；图12和13为根据本专利技术另一典型实施例的LCD的截面图；图14和15为根据本专利技术另一典型实施例的LCD的截面图；图16和17为根据本专利技术另一典型实施例的LCD的截面图；以及图18和19为根据本专利技术另一典型实施例的LCD的截面图。具体实施例方式下面将参照其中示出了本专利技术优选实施例的附图更全面地介绍本专利技术。然而，本专利技术可以用多种不同的形式实施而不应理解为限于在此所阐述的典型实施例。附图中，为清楚起见，夸大了层、膜和区域的厚度。相同的元件始终使用相同的附图标记。应当理解，当称诸如层、膜、区域或基板的元件在另一个元件“上”时，其可以直接位于另一个元件上或者也可以存在插入的元件。相反，当称一个元件“直接”在另一个元件“上”时，则不存在插入的元件。现在，将参照附图说明根据本专利技术典型实施例的TFT阵列板及其制造方法。图1为根据本专利技术典型实施例的LCD布局图，图2为图1中所示的LCD沿线II-II’截取的截面图，图3为图1中所示的LCD沿线III-III’和III’-III”截取的截面图。参照图1至3，根据本专利技术典型实施例的LCD包括TFT阵列板100、公共电极板200和插在板100与200之间的LC层3。LC层3包括多个垂直于板100和200排列的LC分子。现在详细说明TFT阵列板100。在绝缘基板110上形成多条栅极线121和多条存储电极线131。栅极线121基本沿横向延伸并彼此分开。栅极线121传输栅极信号。每条栅极线121的多个突出部分形成多个栅极电极123。每条栅极线121具有用于与另一层或外部装置连接的扩大部分(expansion)125。每条存储电极线131基本沿横向延伸并包括多组存储电极，其中存储电极包括一对纵向存储电极133a和133b以及与弯曲的纵向存储电极133a和133b相连结的横向存储电极133c，以及与相邻存储电极组133a至133c中的两个存储电极133a和133b相连的多条连接线133d。纵向存储电极133a和133b周期性地弯曲且每个纵向存储电极133a具有一自由端部和一连接到存储电极线131的固定端部，两个端部都具有倾斜的边缘。每个纵向存储电极133b具有两个端部，一个与存储电极线131相连接而另一个与连接线133d相连接。存储电极线131施加有预定电压，如施加到LCD公共电极板200上的公共电极270的公共电压。栅极线121以及存储电极线131包括下部膜和上部膜。下部膜和上部膜具有不同的物理特性。上部膜优选由包括含Al的金属，如Al和Al合金的低电阻率金属制成，用于减小栅极线121和存储电极线131中的信号延迟或电压下降。另一方面，下部膜优选由如Cr、Mo和Mo合金的材料制成，其具有与其它材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)优良的接触特性。下部膜材料和上部膜材料的良好典型组合为Cr和Al-Nd合金。图2和3中，栅极电极123的下部膜和上部膜分别由附图标记231和232表示，栅极线121扩大部分125的下部膜和上部膜分别由附图标记251和252表示，弯曲的纵向存储电极133a的下部膜和上部膜分别由附图标记331a和332a表示，弯曲的纵向存储电极133b的下部膜和上部膜分别由附图标记331b和332b表示。移除部分栅极线121扩大部分125的上部膜252以暴露下面的部分下部膜251。在本专利技术的各种典型实施例中，栅极线121和存储电极线131可以为单层或多层(即，三层或更多层)结构。另外，栅极线121和存储电极引线的边缘表面为锥形，并且边缘表面相对于基板110表面的倾斜角在约30至80度的范围内。优选由氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。优选由氢化非晶硅(简写为“a-Si)制成的多个半导体条带151形成在栅极绝缘层140上。每个半导体条带151基本沿纵向延伸并周期性弯曲。每个半导体条带151具有多个朝向栅极电极123支出的突出部分154。每个半导体条带151的宽度在栅极线121的附近变大，使得半导体条带151覆盖栅极线121的很大面积。优选由以n型杂质重掺杂的硅化物或n+型氢化a-Si制成的多个欧姆接触带和岛161和165形成在半导体条带151上。每个欧姆接触带161具有多个突出部分163，突出部分163和欧姆接触岛165成对地位于半导体条带151的突出部分154上。半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶显示器的薄膜晶体管板，包括：基板；多条数据线，形成在该基板上并沿第一方向延伸；多条栅极线，形成在该基板上并沿第二方向延伸，该多条栅极线与该多条数据线相交以形成多个像素区域，该多个像素区域中的每个具有多折带 的形状；以及多个像素电极，每个像素电极形成在相应的像素区域内。

【技术特征摘要】
KR 2003-4-4 0021313/031.一种用于液晶显示器的薄膜晶体管板，包括基板；多条数据线，形成在该基板上并沿第一方向延伸；多条栅极线，形成在该基板上并沿第二方向延伸，该多条栅极线与该多条数据线相交以形成多个像素区域，该多个像素区域中的每个具有多折带的形状；以及多个像素电极，每个像素电极形成在相应的像素区域内。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管板，其中该多条数据线中的每条周期性地弯曲以形成多折带形状的像素区域。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管板，其中该多个像素电极中的每个包括沿该第二方向延伸的切口，该切口将该多个像素电极中的每个分为第一部分和第二部分。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管板，其中该多条数据线中的每条包括第一组倾斜部分和第二组倾斜部分，该第一组倾斜部分从该多条栅极线起成约45°的逆时针角，该第二组倾斜部分从该多条栅极线起成约45°的顺时针角。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管板，还包括多条存储电极线，形成在该基板上并基本沿该第二方向延伸。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管板，还包括多组存储电极，与每条存储电极线相连接，每组存储电极包括基本沿该第一方向延伸的一对第一存储电极和连接该第一存储电极的第二存储电极；以及多条连接线，连接相邻存储电极组中的第一存储电极。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管板，其中每个该第一存储电极周期性地弯曲。8.如权利要求1所述的薄膜晶体管板，还包括栅极绝缘层，形成在该多条栅极线上。9.如权利要求8所述的薄膜晶体管板，还包括多个半导体条带，形成在该栅极绝缘层上并基本沿该第一方向延伸。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管板，其中每条栅极线包括多个栅极电极。11.如权利要求10所述的薄膜晶体管板，其中每个半导体条带包括多个突出部分，每个突出部分朝相应的栅极电极延伸。12.如权利要求11所述的薄膜晶体管板，还包括形成在该多个半导体条带上的多个欧姆接触带和岛。13.如权利要求12所述的薄膜晶体管板，其中每个欧姆接触带包括多个突出部分，该接触带的每个突出部分和欧姆接触岛成对地位于该半导体条带的突出部分上。14.如权利要求13所述的薄膜晶体管板，其中该多条数据线形成在该多个欧姆接触带上。15.如权利要求14所述的薄膜晶体管板，还包括每个都形成在相应的欧姆接触岛上的多个漏极电极。16.如权利要求15所述的薄膜晶体管板，其中每条数据线包括多个源极电极，每个源极电极朝相应的漏极电极延伸使得每个源极电极与相应的漏极电极分开并关于相应的栅极电极与相应的漏极电极相对。17.如权利要求16所述的薄膜晶体管板，还包括钝化层，形成在该多条数据线和该多个漏极电极上。18.如权利要求17所述的薄膜晶体管板，其中每条数据线包括用于电连接的扩大部分。19.如权利要求18所述的薄膜晶体管板，其中每条栅极线包括用于电连接的扩大部分。20.如权利要求19所述的薄膜晶体管板，其中该多条数据线和该多个漏极电极每个都包括下部膜和上部膜。21.如权利要求6所述的薄膜晶体管板，还包括形成在该多条栅极线上的栅极绝缘层和形成在该多条数据线和该多个漏极电极上的钝化层，并且其中，每对第一存储电极中的一个第一存储电极具有一自由端部和一固定于相应存储电极线的端部，而每对第一存储电极中的另一个第一存储电极具有一与连接线相连的端部和一固定于相应存储电极线的端部。22.如权利要求17所述的薄膜晶体管板，其中该钝化层包括暴露该多个漏极电极的下部膜的多个第一接触孔和暴露该多条数据线的扩大部分的下部膜的多个第二接触孔。23.如权利要求22所述的薄膜晶体管板，其中该钝化层和该栅极绝缘层包括暴露该多条栅极线的扩大部分的多个第三接触孔。24.如权利要求23所述的薄膜晶体管板，其中该多个第一、第二、第三、第四和第五接触孔具有阶梯外形。25.如权利要求23所述的薄膜晶体管板，其中该多个像素电极形成在该钝化层上并通过该第一接触孔电连接至该多个漏极电极。26.如权利要求21所述的薄膜晶体管板，其中该钝化层和该栅极绝缘层包括暴露存储电极线的最近具有自由端部的相应存储电极的该固定端部的部分的多个第四接触孔，以及暴露具有自由端部的存储电极的自由端部的多个第五接触孔，并且还包括形成于该钝化层之上的多个存储连接桥，其横跨该多条栅极线并通过该多个第四接触孔和该多个第五接触孔电连接邻近的存储电极线。27.如权利要求15所述的薄膜晶体管板，其中该多个半导体条带具有与该多条数据线和该多个漏极电极基本相同的平面形状。28.如权利要求17所述的薄膜晶体管板，其中该钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，且多个滤色片形成在第一钝化层与第二钝化层之间。29.如权利要求17所述的薄膜晶体管板，还包括形成在该钝化层上的多个滤色片，形成在该多个滤色片上的该多个像素电极。30.一种液晶显示器，包括权利要求1所述的薄膜晶体管板。31.一种液晶显示器包括薄膜晶体管板，包括第一基板；多条数据线，形成在该第一基板上并沿第一方向延伸；多条栅极线，形成在该第一基板上并沿第二方向延伸，该多条栅极线与该多条数据线相交以形成多个像素区域，该多个像素区域中的每个具有多折带的形状；以及多个像素电极，每个像素电极形成在相应像素区域内；公共电极板，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东奎，李栢远，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]