具有多个区域的液晶显示器及用于该显示器的面板制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括在绝缘基片上形成的栅极线；与栅极线绝缘交叉的数据线；在每个栅极线和数据线交叉限定的像素区域上形成的第一像素电极；三端子分别与栅极线、数据线及第一像素电极连接的第一薄膜晶体管；在每个像素区域上形成，并与第一像素电极连接的耦合电极重叠、与第一像素电极电容性耦合的第二像素电极的液晶显示器。第二像素电极通过第二薄膜晶体管与存储电极线进行电连接，对共同电极形成比第一像素电极电压高的电压。这时，第一像素电极具有比第二像素电极宽的面积，低电压与高电压比率为０．５０－０．９５。因此，可以得到提高侧面可视性的宽视角液晶显示器，同时可以确保良好的纵横比和透射比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器，更具体地，涉及一种具有多个区域的液晶显示器及用于该显示器的面板。
技术介绍
液晶显示器(LCD)通常在形成共同电极和滤色器的上部基片和形成薄膜晶体管和像素电极等的下部基片之间注入液晶材料，向像素电极和共同电极之间施加相互不同的电压以形成电场，改变液晶分子排列，通过它调整光的透射比来显示图像。窄视角是液晶显示器的重要弊端。为了克服这种弊端，正在开发扩大视角的多种技术，其中对上下基片液晶分子垂直取向，在像素电极和与其面对电极的共同电极形成一定的折叠图案，或形成凸起的方法最有效。形成折叠图案的方法有，在像素电极和共同电极上分别形成折叠图案，利用这些折叠图案形成的散射场，调整液晶分子的平躺方向，从而扩大视角的方法。形成凸起的方法有，在上下基片之上形成的像素电极和共同电极之上分别形成凸起，从而利用通过凸起失真的电场调整液晶分子平躺方向的方式。另外一种方法有，在下部基片之上形成的像素电极上形成折叠图案，在上部基片上形成的共同电极之上形成凸起，利用折叠图案和凸起形成的散射场，调整液晶平躺方向以形成区域的方式。这种多重区域液晶显示器的以1∶10对比比为基准的对比比视角或通过灰度之间亮度反转的限度角度限定的灰度反转基准视角，在其前方向为80度以上，这是属于非常优秀的。然而，发生正面伽马曲线和侧面伽马曲线不一致的侧面伽马曲线变形现象，与TN模式液晶显示器相比，在侧面还出现较差的可视度。例如，作为区域分割件，使用形成折叠部的PVA(patternedvertically aligned)模式时，越靠近侧面，存在整体画面亮而，且存在向白色方向移动的倾向，严重时不存在亮灰度之间的间距差，导致图像变形。然而，随着液晶显示器在多媒体领域中的使用，并随着观看画像或观看活动图像的增加，越来越重视可视度。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种可视度优良的具有多个区域的液晶显示器。为了实现本专利技术目的，将像素电极至少分为两个，向被分成的辅助像素电极施加相互不同的电位。这时辅助像素电极通过耦合电极形成电容性耦合，对于共同电极电压，电压低的辅助像素电极比电压高的辅助像素电极更宽，或者低电压和高电压之间的电压差比率在0.50-0.95之间。根据本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板，在绝缘基片上形成第一信号线，并形成与第一信号线绝缘交叉且限定像素区域的第二信号线，在第一信号线和第二信号线交叉限定的各像素区域形成至少两个以上的分割像素电极。而且，在每个像素区域上形成与第一信号线、第二信号线、及像素上分别与三端电连接的薄膜晶体管，与至少一个分割像素电极电连接的端连接，形成至少与分割的另外像素电极重叠的耦合电极。这时，像素电极具有将液晶分子分割取向的区域分割件，像素电极以互不相同的面积分割。在这里，优选地，区域分割件可能是折叠部，耦合电极从薄膜晶体管三端中的漏极延伸，像素电极通过折叠部进行分割，折叠部与第一信号线成±45°角。这种薄膜晶体管阵列面板还包括与第二信号线绝缘交叉并施加基准电压的第三信号线，并包括通过耦合电极电容性耦合的第一及第二像素电极。在这里，薄膜晶体管包括第一信号线、第一像素电极及三端分别与第二信号线连接的第一薄膜晶体管和第一信号线、三端与第二像素电极及第三信号线电连接的第二薄膜晶体管。这时，优选地，还包括在第一及第二像素电极和第一及第二薄膜晶体管之间形成的绝缘层，第二像素电极和第二薄膜晶体管的漏极直接连接钝化层的第一接触孔。第一像素电极通过钝化层的第二接触孔与第一薄膜晶体管的漏极直接连接，或中间隔着钝化层可以与第一薄膜晶体管的漏极重叠。第一像素电极具有比第二像素电极大的面积，更优选地，第一像素电极具有第二像素电极面积的1-6倍的面积。在这里，像素电极还包括通过第一像素电极和耦合电极进行电容性耦合的、与其电连接的第三像素电极。根据本专利技术实施例的液晶显示器，具有将与这种薄膜晶体管阵列面板和像素电极面对驱动液晶分子的电压作为共同电极的共同电极面板、在薄膜晶体管阵列面板及共同电极面板中的至少一个上形成的第一区域分割件、在薄膜晶体管阵列面板及共同电极面板中至少一个上形成并与第一区域分割件一起将像素区域分割成多个小区域的第二区域分割件。这时，第一区域分割件可能是像素电极具有的折叠部，第二区域分割件可能是共同电极具有的折叠部。根据本专利技术另外实施例的液晶显示器包括第一绝缘层、形成在第一绝缘层的第一信号线、在第一绝缘基片上形成并与第一信号线绝缘交叉限定像素区域的第二信号线、在第一信号线和第二信号线交叉限定的各像素区域形成并分割成至少两个以上的像素电极、三端分别与第一信号线、第二信号线及像素电极电连接的薄膜晶体管、与至少一个分割像素电极电连接的端连接并与至少一个分割像素电极重叠的耦合电极、与第一绝缘基片面对的第二绝缘基片、形成在第二绝缘基片之上的共同电极、形成在第一基片及第二基片中至少一个的第一区域分割件、在第一基片及第二基片中至少一个上形成并与第一区域分割件一起将像素区域分割成多个小区域的第二区域分割件。这时，共同电极和分割的多个像素电极之间电压的电压差比率在0.5-0.95之间。第一或第二区域分割件可以是折叠部。优选地，耦合电极从薄膜晶体管的三端中的漏极延伸，第一及第二区域分割件与第一信号线成±45°角。这种液晶显示器还包括与第二信号线绝缘交叉并施加基准电压的第三信号线，包括通过耦合电极电电容性耦合的第一及第二像素电极。这时，薄膜晶体管包括三端分别与第一信号线、第一像素电极、第二信号线连接的第一薄膜晶体管和三端分别与第一信号线、第二像素电极、第三信号线连接的第二薄膜晶体管。优选地，还包括在第一及第二像素电极和第一及第二薄膜晶体管之间形成的绝缘层，第二像素电极和第二薄膜晶体管的漏极直接连接钝化层的第一接触孔。第一像素电极通过钝化层的第二接触孔与第一薄膜晶体管的漏极直接连接或隔着钝化层与第一薄膜晶体管的漏极重叠。第一像素电极优选具有比第二像素电极大的面积，像素电极还可以包括通过第一像素电极和耦合电极进行电容性耦合的、与其电连接的第三像素电极。附图说明本专利技术的上述和其它优点将通过参考附图详细地描述其优选实施例，从而变得更加明显，其中图1是根据本专利技术第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图；图2是根据本专利技术第一实施例的用于液晶显示器的共同电极面板布局图；图3是根据本专利技术第一实施例的液晶显示器布局图；图4是图3的沿着线IV-IV′的截面图；图5是根据本专利技术第一实施例的液晶显示器电路图；图6是根据本专利技术第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图；图7是沿着图6的线VII-VII′的薄膜晶体管阵列板的截面图； 图8是根据本专利技术第三实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图；图9是根据本专利技术第三实施例的包括薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器电路图；图10是根据本专利技术第四实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图；图11是根据本专利技术第四实施例的包括薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器电路图；以及图12及图13是根据本专利技术第五及第六实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图。具体实施例方式为了使本领域技术人员能够实施本专利技术，现参照附图详细说明本专利技术的优选实施例。但是，本专利技术可表现为不同形式，它不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片；多条第一信号线，形成于所述绝缘基片上；多条第二信号线，与所述第一信号线绝缘交叉以限定像素区域；像素电极，设置在每个所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定 的所述像素区域上，至少被分割为两个以上；薄膜晶体管，三端子分别与所述第一信号线和所述第二信号线及所述像素电极中至少之一相连；耦合电极，至少与一个分割的所述像素电极电连接的端子连接，至少与分割的另外一个所述像素电极重叠；以及　 　区域分割件，用于确定形成于所述绝缘基片上的液晶分子的倾斜方向。

【技术特征摘要】
KR 2003-6-10 2003-00370901.一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，包括绝缘基片；多条第一信号线，形成于所述绝缘基片上；多条第二信号线，与所述第一信号线绝缘交叉以限定像素区域；像素电极，设置在每个所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定的所述像素区域上，至少被分割为两个以上；薄膜晶体管，三端子分别与所述第一信号线和所述第二信号线及所述像素电极中至少之一相连；耦合电极，至少与一个分割的所述像素电极电连接的端子连接，至少与分割的另外一个所述像素电极重叠；以及区域分割件，用于确定形成于所述绝缘基片上的液晶分子的倾斜方向。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述区域分割件是折叠部。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述耦合电极是所述薄膜晶体管三端子中从漏极延长出来的。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述像素电极通过所述折叠部分割，所述折叠部与所述第一信号线成±45度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括与所述第二信号线绝缘交叉并接收基准电位的第三信号线，所述第一和所述第二像素电极包括通过所述耦合电极容量性耦合的第一及第二像素电极，所述薄膜晶体管包括三端子分别与所述第一信号线、所述第一像素电极、及所述第二信号线连接的第一薄膜晶体管和三端子分别与所述第一信号线、所述第二像素电极、及所述第三信号线连接的第二薄膜晶体管。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括在所述第一及第二像素电极和所述第一及第二薄膜晶体管之间形成的绝缘层，所述第二像素电极和所述第二薄膜晶体管的漏极直接连接所述钝化层的第一接触孔。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极通过所述钝化层的第二接触孔与所述第一薄膜晶体管的漏极直接连接，或中间隔着钝化层与所述第一薄膜晶体管的漏极重叠。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极具有比所述第二像素电极更大的面积。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极具有所述第二像素电极面积的1-6倍面积。10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述像素电极还包括通过所述第一像素电极和所述耦合电极容量性耦合的电连接的第三像素电极。11.一种液晶显示器，包括根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板；共同电极面板，具有与所述薄膜晶体管阵列面板面对，并与所述像素电极面对形成驱动液晶分子电位；第一区域分割件，至少在所述薄膜晶体管阵列面板及所述共同电极面板中之一上形成；以及第二区域分割件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金熙燮，吴浚鹤，柳斗桓，梁英喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]