液晶显示器制造技术

技术编号:12857869 阅读:90 留言:0更新日期:2016-02-12 15:11
一种液晶显示器包括:第一基底;栅极线,位于第一基底上;栅极绝缘层,位于栅极线上;半导体层,位于栅极绝缘层上;数据线和漏电极,位于半导体层上;钝化层,覆盖数据线和漏电极,部分地暴露漏电极的接触孔限定在钝化层中;共电极,位于钝化层上方;像素电极,通过接触孔与漏电极电连接,所述像素电极与共电极叠置,并且所述像素电极包括通过连接部彼此连接的多个分支电极、从连接部延伸并与漏电极连接的接触部以及朝着相邻像素突出并设置在像素电极的连接部或接触部中的至少一个角处的突出;以及第二基底,与第一基底对应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器
技术介绍
液晶显示器(IXD)是当前使用的最普通类型的平板显示器中的一种,IXD中的液晶层的液晶分子通过向电极施加电压而重新排列,以控制透射光的量。LCD具有例如有助于减小厚度的优点,但是具有与前可视性相比侧可视性劣化的缺点。为了克服该缺点,已经开发了各种类型的液晶取向和驱动方法。作为用于实现宽视角的方法,像素电极和共电极设置在一个基底上的LCD已经受到关注。在上述LCD的情况下,在像素电极和共电极的两个场产生电极中的至少一个中限定多个切口,所述多个切口限定多个分支电极。液晶分子通过在具有多个分支电极的一个电场产生电极和具有平板形状的另一个电场产生电极之间产生的电场而排列,从而控制透射光的量。
技术实现思路
本专利技术致力于提供一种能够通过设置在像素电极的边缘处的突出来抑制液晶的反转方向的取向并解决产生白色瘀斑的问题的显示装置。根据本专利技术的示例性实施例的IXD包括:第一基底;栅极线,设置在第一基底上;栅极绝缘层,设置在栅极线上;半导体层,设置在栅极绝缘层上;数据线和漏电极,设置在半导体层上;钝化层,覆盖数据线和漏电极,并且包括部分地暴露漏电极的接触孔;共电极,设置在钝化层上方;像素电极,通过接触孔与漏电极电连接,并且与共电极叠置;以及第二基底,与第一基底对应,其中,像素电极包括多个分支电极,所述多个分支电极分别从其上部和下部通过连接部连接,像素电极包括从连接部或分支电极延伸的接触部,接触部通过接触孔与漏电极电连接,朝着相邻像素突出的突出设置在像素电极连接部或接触部中的至少一个角处。在示例性实施例中,突出可以通过从像素分支电极延伸来设置,并且可以与分支电极设置在同一平面中。在示例性实施例中,突出的宽度可以朝着其端部逐渐减小。在示例性实施例中,突出可以设置为三角形的形状。在示例性实施例中,突出可以设置在像素电极的最右边的分支电极的顶端中。 在示例性实施例中,突出可以设置在所述多个分支电极的至少一个分支电极的顶端中。在示例性实施例中,突出和栅极线可以限定大约0度到大约90度的角度。在示例性实施例中,突出可以设置在像素电极的最右边的分支电极的下端中。在示例性实施例中,突出和栅极线可以限定大约0度到大约90度的角度。在示例性实施例中,突出可以设置在像素电极与漏电极接触的接触区域的一个角中。在示例性实施例中,突出和栅极线可以限定大约0度到大约90度的角度。根据本专利技术的示例性实施例的IXD包括:第一基底;栅极线,设置在第一基底上;栅极绝缘层,设置在栅极线上;半导体层,设置在栅极绝缘层上;数据线和漏电极,设置在半导体层上;钝化层,覆盖数据线和漏电极,并且包括部分地暴露漏电极的接触孔;共电极,设置在钝化层上方;像素电极,通过接触孔与漏电极电连接,并且与共电极叠置;第二基底,与第一基底对应,其中,像素电极包括多个分支电极,所述多个分支电极在其下部处连接,并且在其上部处彼此分开,从而设置为叉形,像素电极包括从连接部或分支电极延伸的接触部,接触部通过接触孔与漏电极电连接,朝着相邻像素突出的突出设置在像素电极连接部、上分支电极或接触部中的至少一者的端部中。在示例性实施例中,突出可以设置在像素电极的至少一个分支电极的顶端、像素电极的分支电极的右下端、以及像素电极与漏电极接触的接触区域的一个角中的至少一个位置处。在示例性实施例中,突出和栅极线可以限定大约0度到大约90度的角度。在示例性实施例中,突出的宽度可以朝着其端部逐渐减小。在示例性实施例中,突出可以设置为三角形的形状。设置有突出的区域中的液晶可以沿着与外围区域的液晶排列所沿的方向相同的方向排列。如所描述的,在根据本专利技术的示例性实施例的显示装置中,突出设置在装置的像素电极的端部处,以抑制液晶在像素电极的边界处产生的反转方向的取向并以更高的电压来驱动IXD。【附图说明】通过参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例,本公开的以上和其它示例性实施例、优点和特征将变得更加明显,其中:图1是根据本专利技术的液晶显示器(LCD)的示例性实施例的平面图。图2是沿着线I1-1I截取的图1的IXD的剖视图。图3至图8和图10是根据本专利技术的IXD的示例性实施例的平面图。图9是根据本专利技术的IXD的对比示例的平面图。图11至图15和图17是根据本专利技术的IXD的另一示例性实施例的平面图。图16是根据本专利技术的IXD的对比示例的平面图。图18是示出根据本专利技术的LCD的液晶分子的取向的对比示例的图像。图19是示出根据本专利技术的LCD的液晶分子的取向的示例性实施例的图像。【具体实施方式】在下文中将参照附图来更充分地描述本专利技术,在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。如本领域技术人员将意识到的,在全部不脱离本专利技术的精神或范围的情况下,可以以各种不同的方式来修改所描述的实施例。在附图中,为了清楚起见,可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,同样的附图标记指示同样的元件。将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时,不存在中间元件。将理解的是,虽然这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因此,在不脱离本专利技术的教导的情况下,下面所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可称为第二元件、组件、区域、层或部分。为了易于描述,这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是,除了附图中绘出的方位之外,空间相对术语还意图涵盖装置在使用中或操作中的不同方位。例如,在示例性实施例中,如果附图中的装置被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以涵盖“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置可以被另外地定位(旋转90度或者在其它方位),并相应地解释在这里使用的空间相对描述语。这里所使用的术语仅出于描述具体实施例的目的,而不意图限制本专利技术。如这里所使用的,除非上下文另外清楚地指示,否则单数形式“一”、“一个(种)(者该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是,当在说明书中使用术语“包括”和/或其变形时,表示存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。考虑到正在被提及的测量和与特定量的测量有关的误差(即,测量系统的限制),如这里所使用的“大约”或“大致”包括所述值并且意味着在如本领域普通技术人员所确定的针对特定值的可接受的偏差范围内。例如,“大约”可以指在一个或更多个标准偏差之内,或者在所述值的±30%、±20%、±10%、±5%之内。除非另外限定,否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术所属
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【技术保护点】
一种液晶显示器,其特征在于,所述液晶显示器包括:第一基底;栅极线,设置在所述第一基底上;栅极绝缘层,设置在所述栅极线上;半导体层,设置在所述栅极绝缘层上;数据线和漏电极,设置在所述半导体层上;钝化层,覆盖所述数据线和所述漏电极,部分地暴露所述漏电极的接触孔限定在所述钝化层中;共电极,设置在所述钝化层上方;像素电极,通过所述接触孔与所述漏电极电连接,所述像素电极与所述共电极叠置,并且所述像素电极包括:多个分支电极,从所述多个分支电极的上部和下部通过连接部彼此连接;接触部,从所述连接部延伸,并且通过所述接触孔与所述漏电极电连接;以及突出,朝着所述多个分支电极的相邻像素突出,并且设置在所述像素电极的所述连接部或所述接触部中的至少一个角处;以及第二基底,与所述第一基底对应。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:朴承铉金香律李知恩许邃瀞
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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