组合物、发光装置、包括发光装置的电子装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:41077877 阅读:18 留言:0更新日期:2024-04-25 10:04
提供了包含由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的组合物、发光装置、以及各自包括所述发光装置的电子装置和电子设备。式1和式2与说明书中描述的相同:式1,式2

【技术实现步骤摘要】

本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及组合物、发光装置、包括所述发光装置的电子装置和电子设备。


技术介绍

1、发光装置中的自发射装置(例如,有机发光装置)具有广视角、高对比度、短响应时间,以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异的特性。

2、在发光装置中,第一电极在衬底上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动,并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态,从而产生光。


技术实现思路

1、本公开内容的一个或多于一个的实施方案包括能够提供改善的发射效率和使用寿命特性的组合物、各自包含所述组合物的发光装置和电子装置。

2、实施方案的额外的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见,或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

3、根据一个或多于一个的实施方案,组合物包含由式1表示的第一化合物和式2表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.组合物,包含:

2.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物包含至少一个氘,

3.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物的最高占据分子轨道能级是-5.6eV或高于-5.6eV。

4.如权利要求1所述的组合物,其中所述第二化合物的最低未占据分子轨道能级是-2.6eV或低于-2.6eV。

5.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物和所述第二化合物中的每一种的三重态能级是2.8eV或高于2.8eV。

6.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物的相变温度与所述第二化合物的相变温度之间的差是15℃或低于15℃。<...

【技术特征摘要】

1.组合物,包含:

2.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物包含至少一个氘,

3.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物的最高占据分子轨道能级是-5.6ev或高于-5.6ev。

4.如权利要求1所述的组合物,其中所述第二化合物的最低未占据分子轨道能级是-2.6ev或低于-2.6ev。

5.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物和所述第二化合物中的每一种的三重态能级是2.8ev或高于2.8ev。

6.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物的相变温度与所述第二化合物的相变温度之间的差是15℃或低于15℃。

7.如权利要求1所述的组合物,其中所述第一化合物的相变温度是285℃至305℃。

8.如权利要求1所述的组合物,其中所述第二化合物的相变温度是285℃至305℃。

9.发光装置,包括:

10.如权利要求9所述的发光装置,其中所述组合物被包含在所述发射层中,以及

11.如权利要求10所述的发光装置,其中所述含过渡金属的化合物包含铂。

12.如权利要求10所述的发光装置,其中所述含过渡金属的化合物包含铂和键合至铂的四齿配体,并且所述四齿配体的碳原子中的一个经由配位键键合至铂。

【专利技术属性】
技术研发人员:安熙春朴泳进严贤娥李艺瑟赵恕院
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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