【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及量子点及其制造方法。
技术介绍
1、量子点是半导体材料的纳米晶体，并且是表现出一种或多种量子限域效应的材料。当量子点接收来自激发源的光并且达到能量激发态时，量子点根据相应的能量带间隙来发射能量。这里，即使在相同材料的情况下，由于量子点具有波长根据颗粒尺寸而变化的特性，因此通过调整一个或多个量子点的尺寸，可以获得期望或合适的波长区的光，并且可以显示诸如优异或合适的颜色纯度和高发光效率的特性，因此量子点可以应用于一个或多个合适的装置。
2、在一些示例中，量子点可以用作光学构件当中的执行一种或多种合适的光学功能(例如，光转换功能)的材料。量子点是纳米尺寸(例如，纳米尺寸级)的半导体纳米晶体，并且可以通过控制纳米晶体的尺寸和组成而具有不同的能量带间隙，并且因此能够发射各种合适的发射波长的光。
3、为了改善显示装置的颜色再现性，正在开发利用量子点作为发光材料的发光装置，并且需要利用量子点提高发光装置的发光效率和寿命。
4、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增进对本公开的
技术介绍
的理解，并且因此可以包含不构成在本国内为本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、一个或多个实施方式的方面提供了具有提高的发光效率和留存率的量子点和量子点的制造方法。
2、附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开的呈现的实施方式的实践来习得。
3、根据实施方式的量子点包括：核
4、第一钝化层可以包括从in、ga、al和ti当中选择的至少一种金属的氧化物。
5、核可以包括由a-b-x表示的化合物，a为从ag、cu和au当中选择的一种或多种，b为从in、ga和al当中选择的一种或多种，并且x为从s、se和te当中选择的一种或多种。
6、壳可以包括由c’-y’表示的化合物，c’可以为从ga、in、zn和mg当中选择的一种或多种，并且y’可以是从s和se当中选择的一种或多种。
7、核可以包括agingas(aigs)。
8、壳可以包括gas。
9、第一钝化层可以包括in2o3。
10、第二钝化层可以包括in(oac)3。
11、第一钝化层可以被定位成比第二钝化层靠近壳。
12、第二钝化层可以被定位成比第一钝化层靠近壳。
13、根据实施方式的量子点的制造方法包括：形成核；围绕(例如，环绕)核形成壳；围绕(例如，环绕)壳形成第一钝化层；以及围绕(例如，环绕)第一钝化层形成第二钝化层，其中，第二钝化层包括in(oac)3，并且第二钝化层通过添加in(oac)3溶液并且将in(oac)3溶液加热的方法来形成。
14、在第二钝化层的形成中的加热在180℃(的温度)下执行达1小时。
15、第一钝化层可以包括in2o3。
16、第一钝化层的形成可以通过添加从in(oac)3、in(oh)3、in(i-pro)3和in(buo)3当中选择的至少一种前体溶液并且将其加热的方法来执行。
17、在第一钝化层的形成中，加热在190℃的温度下执行达30分钟。
18、核可以包括aigs(银-铟-镓-硫化物)。
19、核的形成可以通过将硫添加到混合物溶液中并且将其加热的方法执行，混合物溶液包括从agi、gai3、ini3、ola(油胺)、topo(三辛基氧化膦)和toa(三辛胺)当中选择的至少一种。
20、包含在in(oac)3溶液中的铟的量与包含在核中的铟的量的比率可以是1至4。
21、壳可以包括gas。
22、壳可以通过利用s-ola(硫-油胺)和gacl3来形成。
23、根据实施方式，可以提供具有提高的发光效率和留存率的量子点以及量子点的制造方法。
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1.一种量子点，包括：
2.根据权利要求1所述的量子点，其中，
3.根据权利要求1所述的量子点，其中，
4.根据权利要求1所述的量子点，其中，
5.根据权利要求1所述的量子点，其中，
6.根据权利要求5所述的量子点，其中，
7.根据权利要求6所述的量子点，其中，
8.根据权利要求7所述的量子点，其中，
9.根据权利要求1所述的量子点，其中，
10.根据权利要求1所述的量子点，其中，
【技术特征摘要】
1.一种量子点，包括：
2.根据权利要求1所述的量子点，其中，
3.根据权利要求1所述的量子点，其中，
4.根据权利要求1所述的量子点，其中，
5.根据权利要求1所述的量子点，其中，
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