曝光方法和使用这种方法的半导体器件制造方法技术

提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂１３和具有铬膜２２的光掩模２０靠近来对上述上层抗蚀剂１３进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部２３的上述铬膜２２通过纯水膜１５与上述上层抗蚀剂１３靠近，利用近场光Ｋ在与上述开口部２３相对应的位置上对上述上层抗蚀剂１３进行曝光。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种曝光方法及使用该曝光方法的半导体器件制造方法，其中粘附感光性抗蚀剂层和光掩膜，对所述感光性抗蚀剂层进行曝光。
技术介绍
在半导体器件和液晶显示器件等的制造工艺中，经常利用光刻在作为基板的半导体晶片以及玻璃基板等上形成电路图形。在光刻中具备透过光掩模将光照射到在基板上成膜的感光性抗蚀剂层，将光掩模上形成的图形转移到所述感光性抗蚀剂层的曝光步骤。为此，在伴随着现有半导体存储器的大容量化和CPU处理器的高速化以及大型化的发展所需的光刻微细化中，曝光的微细化是不可缺少的。一般情况下，利用步进式光刻机等曝光装置进行曝光时，通过透镜聚焦光而获得的束点尺寸成为微细化的限制。利用下述[公式1](Rayleigh公式)表示这种束点尺寸。φ＝k1×(λ/NA)[公式1]中的符号表示如下。φ束点尺寸；λ光的波长；NA物镜的数值口径；K1光学系统的比例系数。通过[公式1]可看出，通过缩短光的波长λ和加大物镜的数值口径NA，则可以缩小束点尺寸φ。但是，作为光源使用具有短波长的ArF准分子激光(193[nm])和F2激光(152[nm])时，必须对含有光路的光学系统抽真空，并且作为物镜所使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光方法，使感光性抗蚀剂层和具有遮光膜的光掩模靠近来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光，其特征在于：通过液体使具有尺寸比来自光源的振荡光的波长小的开口部的所述遮光膜与所述感光性抗蚀剂层靠近，在与所述开口部对应的位置上产生近场光来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-5 206104/2003;JP 2003-2-3 026399/20031.一种曝光方法，使感光性抗蚀剂层和具有遮光膜的光掩模靠近来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光，其特征在于通过液体使具有尺寸比来自光源的振荡光的波长小的开口部的所述遮光膜与所述感光性抗蚀剂层靠近，在与所述开口部对应的位置上产生近场光来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光。2.一种曝光方法，使感光性抗蚀剂层和具有遮光膜的光掩模靠近来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光，其特征在于通过液体使具有来自光源的振荡光无法通过的开口部的所述遮光膜与所述感光性抗蚀剂层靠近，在与所述开口部对应的位置上产生近场光来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光。3.根据权利要求1或2的曝光方法，其特征在于所述液体不腐蚀所述感光性抗蚀剂层和光掩模，并且所述液体是透明的和不活泼的。4.根据权利要求1或2的曝光方法，其特征在于所述液体至少含有纯水和甘油中的一种。5.根据权利要求1或2的曝光方法，其特征在于所述液体是在纯水中添加了表面活性剂的液体。6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括在被加工膜的表面上形成感光性抗蚀剂层的感光性抗蚀剂层形成步骤；通过液体使形成了具有尺寸比来自光源的振荡光的波长小的开口部的遮光膜的光掩模与所述感光性抗蚀剂层的表面靠近，在与所述开口部相对应的位置上产生近场光来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光的曝光步骤；对曝光后的所述感光性抗蚀剂层进行显影，在所述感...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木启之，大川秀树，户野谷纯一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]