使用空间光调制器阵列的无掩模光刻系统和方法技术方案

一种用于在目标物上写入图案的无掩模光刻系统。该系统可包括照明系统，目标物，空间光调制器（ＳＬＭ），和控制器。在目标物接收光之前，ＳＬＭ可使来自照明系统的光形成图案。ＳＬＭ可包括前组ＳＬＭ和后组ＳＬＭ。前和后组中的ＳＬＭ根据目标物的扫描方向而改变。控制器可根据光脉冲期间信息，有关ＳＬＭ物理布局信息，和目标物扫描速度其中至少之一，来发送控制信号。通过使用多种方法，该系统还可校正剂量的非均匀性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及光刻。具体而言，本专利技术涉及无掩模光刻。
技术介绍
光刻是用于在基片表面产生特征的处理。这样的基片可包括用于制造平面显示器(例如，液晶显示器)，电路板，多种集成电路等的基片。对于这些应用，经常使用的基片为半导体晶片或玻璃基片。尽管此处的描述是就半导体晶片而言，但这是出于说明目的，本领域技术人员将会理解，本文的描述还应用在本领域技术人员已知的其他类型基片。在光刻期间，晶片放置在晶片台上，通过处在光刻设备内的曝光光学装置，将图像投射到晶片表面，将晶片曝光。尽管在光刻情形中使用了曝光光学装置，还可依据具体应用使用不同类型的曝光装置。例如，X射线，离子，电子，或光子光刻均可需用不同的曝光装置，这已为本领域技术人员所熟知。在此，仅出于说明目的，讨论光刻的具体示例。所投射的图像引起沉积在晶片表面上的层(例如，光刻胶)的特征变化。在曝光期间，这些变化与投射到晶片上的特征相对应。曝光之后，可对层进行刻蚀，以产生形成图案的层。图案与曝光期间投射到晶片上的那些特征相对应。然后，使用此形成图案的层，去除或进一步处理在晶片内部底层结构(诸如导电、半导体、或绝缘层)的曝光部分。再重复该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无掩模光刻系统，包括：照明系统；目标物；空间光调制器（ＳＬＭ），在目标物接收光之前使来自照明系统的光形成图案，ＳＬＭ包括前组ＳＬＭ和后组ＳＬＭ，在前后组中的ＳＬＭ基于目标物扫描方向而变化；和控制器，基于光 脉冲周期信息，有关ＳＬＭ的物理布局信息，和目标物扫描速度其中至少之一，向ＳＬＭ发送控制信号。

【技术特征摘要】
US 2003-5-30 10/449,9081.一种无掩模光刻系统，包括照明系统；目标物；空间光调制器(SLM)，在目标物接收光之前使来自照明系统的光形成图案，SLM包括前组SLM和后组SLM，在前后组中的SLM基于目标物扫描方向而变化；和控制器，基于光脉冲周期信息，有关SLM的物理布局信息，和目标物扫描速度其中至少之一，向SLM发送控制信号。2.根据权利要求1的系统，其中，目标物为半导体晶片。3.根据权利要求1的系统，其中，目标物为玻璃基片。4.根据权利要求1的系统，其中，玻璃基片为液晶显示器的一部分。5.根据权利要求1的系统，还包括分束器，用于将来自光源的光导向至SLM和将来自SLM的光导向至目标物，其中SLM为反射型SLM。6.根据权利要求1的系统，其中，SLM为透射型SLM。7.根据权利要求1的系统，其中，SLM为液晶显示器。8.根据权利要求1的系统，还包括分束器，用于将来自光源的光导向至SLM和将来自SLM的光导向至目标物，其中SLM为数字微镜装置(DMD)。9.根据权利要求1的系统，其中，至SLM的控制信号在单个扫描期间，允许对目标物的同一区域进行多于一次的、至少部分的曝光。10.根据权利要求1的系统，其中，将SLM以预定距离间隔定位，以便基于控制信号，在物镜连续运动期间，多于一个的SLM对物镜上的曝光区域曝光数个脉冲。11.根据权利要求1的系统，其中，将SLM设置成二维阵列。12.根据权利要求1的系统，其中，第一个SLM的第一边缘与相邻的第二个SLM的第二边缘处在相同的平面。13.根据权利要求1的系统，其中，SLM相对于相邻SLM交错设置。14.根据权利要求1的系统，其中，写入目标物上同一曝光区域的一组SLM包括四列SLM。15.根据权利要求14的系统，其中，列之间以一半有效区域的距离间隔定位。16.根据权利要求14的系统，其中，每个SLM具有无效区域，并且，其中一个SLM的无效区域顶端与相邻一个SLM的无效区域的底端对齐。17.根据权利要求14的系统，其中，每列包括两个SLM。18.根据权利要求14的系统，其中，每列包括四个SLM。19.根据权利要求14的系统，其中，在照明系统的每个脉...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿诺布里克，温斯莱奥A切布海尔，贾森D亨特斯坦，安德鲁W麦卡罗，所罗门S沃瑟曼，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]