【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻投影装置,包括用于保持构图装置的支撑结构,以通过投影光束的照射对所述投影光束构图;构成和设置为将构图装置的受照射部分成像到基底的目标部分上的投影系统,以及用于确定所述构图装置相对于所述投影系统的空间位置的组件,所述组件包括一测量单元,该测量单元具有足以确定所述空间位置的许多传感器。
技术介绍
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置,其中所述图案对应于在基底的目标部分上形成的图案;本文中也使用术语“光阀”。一般地,所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(参见下文)。这种构图装置的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的,它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型,以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下,支撑结构一般是一个掩模台,它能够保证掩模被保持在入射辐射束中的所需位置,并且如果需要则该台会相对光束移动。-可编程 ...
【技术保护点】
光刻投影装置(1),包括:用于提供辐射投影光束的辐射系统;用于支撑构图装置的支撑结构(MT),所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束(PB)构图;用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统(PL);以及用于确定所述构图装置相对于所述投影系统(PL)的空间位置的组件,所述组件包括一测量单元,该测量单元具有足以确定所述空间位置的数量的传感器,其特征在于所述数量的传感器安装在投影系统(PL)上。
【技术特征摘要】
EP 2003-6-27 03077013.51.光刻投影装置(1),包括用于提供辐射投影光束的辐射系统;用于支撑构图装置的支撑结构(MT),所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束(PB)构图;用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统(PL);以及用于确定所述构图装置相对于所述投影系统(PL)的空间位置的组件,所述组件包括一测量单元,该测量单元具有足以确定所述空间位置的数量的传感器,其特征在于所述数量的传感器安装在投影系统(PL)上。2.根据权利要求1的光刻投影装置(1),其特征在于光刻投影装置(1)利用EUV辐射源工作。3.根据权利要求1或2的光刻投影装置(1),其特征在于所述测量单元包括6自由度的干涉仪测量系统。4.根据前面任一项权利要求的光刻投影装置(1),其特征在于至少一个所述传感器使用所述构图装置的图案区外的所述构图装置的反射部件上的激光束。5.根据前面任一项权利要求的光刻投影装置(1),光刻投影装置(1)中的构图装置沿扫描方向...
【专利技术属性】
技术研发人员:PR巴特雷,WJ博克斯,DJPA弗兰肯,BAJ卢蒂克惠斯,EAF范德帕施,MWM范德维斯特,MJM恩格尔斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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