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曝光方法和使用这种方法的半导体器件制造方法技术
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文档序号:3205540
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提供一种曝光方法,实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂13和具有铬膜22的光掩模20靠近来对上述上层抗蚀剂13进行曝光的曝光方法中,具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部23的上述铬膜22通过纯...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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