【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于半导体装置和用于显示器的薄膜晶体管阵列基片的接触结构及其制造方法。
技术介绍
通常，随着半导体装置逐渐集成化，优选半导体装置面积须最佳且形成多层布线。这时，绝缘层为了使通过布线传递的信号干扰变得最小，优选由低介电材料形成。而且传递相同信号的布线应在绝缘层形成接触孔相互电连接。但在蚀刻绝缘层形成接触孔时，若在接触部发生底切就使接触部的台阶覆盖变差。由此发生绝缘层上部的布线剖面变差或在接触部布线断线的问题。另外，液晶显示器是目前使用最广泛的平板显示装置之一，由具备电极的两张基片和充填在其间的液晶层构成，通过给电极施加电压使液晶层的液晶分子重新排列来调整光的透射。液晶显示器中目前主要使用的是在两个基片上分别形成电极，还具有控制施加到电极上电压的薄膜晶体管的液晶显示器。一般薄膜晶体管阵列基片上除了形成薄膜晶体管外还形成包括传递扫描信号的栅极线及传递图像信号的数据线的布线、接收来自外部的扫描信号或图像信号分别向栅极线及数据线传递的栅极衬垫及数据衬垫。在栅极线和数据线交叉限定的像素区域形成与薄膜晶体管电连接的像素电极。这时，为了提高液晶显示器显示特性...
【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基片上形成第一布线组件；在所述第一布线组件上形成下层；形成有机绝缘层，以便所述有机绝缘层覆盖所述下层；对所述有机绝缘层制作布线图案，从而形成露出所述下层的接触孔；蚀刻通过所述接触孔露出的所述下层，以便露出其下的所述第一布线组件；固化所述有机绝缘层；在所述有机绝缘层上形成第二布线组件，以便所述第二布线组件通过所述接触孔连接所述第一布线组件。
【技术特征摘要】
KR 2001-10-22 2001/651851.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤在基片上形成第一布线组件；在所述第一布线组件上形成下层；形成有机绝缘层，以便所述有机绝缘层覆盖所述下层；对所述有机绝缘层制作布线图案，从而形成露出所述下层的接触孔；蚀刻通过所述接触孔露出的所述下层，以便露出其下的所述第一布线组件；固化所述有机绝缘层；在所述有机绝缘层上形成第二布线组件，以便所述第二布线组件通过所述接触孔连接所述第一布线组件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下层由氮化硅或氧化硅组成。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下层由导电材料组成。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机绝缘层由感光性有机绝缘材料组成。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述固化步骤之前抛光所述有机绝缘层的步骤。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述有机绝缘层在所述抛光步骤减小厚度，以便所述有机绝缘层具有1000以下的厚度。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述接触孔的步骤中，设置限定所述接触孔的所述有机绝缘层部分，以便与其它部分相比具有相对薄的厚度。8.一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法，包括以下步骤在绝缘基片上形成栅极线组件，所述栅极线组件包括栅极线及与所述栅极线连接的栅极；在具有所述栅极线组件的所述基片上沉积栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；形成数据线组件，所述数据线组件包括与所述栅极线交叉的数据线、与所述数据线连接并定位于邻接所述栅极的源极、以及以所述栅极为准位于所述源极对面的漏极；沉积保护层；在所述保护层上形成有机绝缘层；对所述有机绝缘层制作布线图案，从而形成露出所述漏极上部所述保护层的第一接触孔；蚀刻通过所述第一接触孔露出的所述保护层，以便露出所述漏极；固化所述有机绝缘层；以及在所述保护层上形成像素电极，以便通过所述第一接触孔与所述漏极连接。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述有机绝缘层由感光性有机材料组成。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述固化之前抛光所述有机绝缘层的步骤。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述有机绝缘层在所述抛光步骤减小厚度，以便所述有机绝缘层具有1000以下的厚度。12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述栅极线组件还包括用于从外部接收扫描信号并向所述栅极线发送所述扫描信号的栅极衬垫；所述数据线组件还包括用于从外部接收图像信号并向所述数据线发送所述图像信号的数据衬垫；以及所述有机绝缘层与所述保护层或所述栅极绝缘层一起具露出所述数据衬垫及所述栅极衬垫的第二及第三接触孔；所述方法还包括在所述像素...
【专利技术属性】
技术研发人员：金彰洙，孔香植，朴旻昱，全相镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。