【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装制程,特别是涉及一种覆晶封装制程,用以避免线路基板的定位标记(fiducial mark)氧化。
技术介绍
随着集成电路的积集度的增加,芯片的封装技术也越来越多样化,因为覆晶接合技术(Flip Chip Interconnect Technology,简称FC)具有缩小芯片封装体积及缩短讯号传输路径等优点,目前已经广泛应用于芯片封装领域,其中诸如芯片尺寸构装(Chip Scale Package,CSP)、芯片直接贴附封装(Direct Chip Attached,DCA)以及多芯片模块封装(Multi-ChipModule,MCM)等型态的封装体,均可以利用覆晶接合技术而达到封装芯片的目的。覆晶接合技术是利用面数组(area array)的方式,将多个焊垫配置于芯片(chip)的主动表面(active surface)上,并在焊垫上形成凸块(bump)。接着,将芯片翻覆(flip),并使芯片上的多个凸块与线路基板上的多个凸块垫分别对应接合,以使芯片与线路基板可通过这些凸块来相互电性与机械性连接,而芯片更可间接地通过线路基板的内部线路电性 ...
【技术保护点】
一种覆晶封装制程,其特征在于其依序包括以下步骤:以覆晶接合方式连接一芯片与一线路基板,其中该线路基板具有一承载表面及多数个定位标记,且该承载表面具有一芯片接合区,而该些定位标记是配置于该承载表面上,并位于该芯片接合区之外,且该芯片是 已参考该些定位标记而接合至该芯片接合区;分别配置一隔绝材料块于该些定位标记上;以及进行一固着处理,以使该些隔绝材料块成为多个隔绝物,其分别覆盖并固着于该些定位标记上。
【技术特征摘要】
1.一种覆晶封装制程,其特征在于其依序包括以下步骤以覆晶接合方式连接一芯片与一线路基板,其中该线路基板具有一承载表面及多数个定位标记,且该承载表面具有一芯片接合区,而该些定位标记是配置于该承载表面上,并位于该芯片接合区之外,且该芯片是已参考该些定位标记而接合至该芯片接合区;分别配置一隔绝材料块于该些定位标记上;以及进行一固着处理,以使该些隔绝材料块成为多个隔绝物,其分别覆盖并固着于该些定位标记上。2.根据权利要求1所述的覆晶封装制程,其特征在于其中所述的该些隔绝材料块是采用多数个焊料块,且该固着处理是采用一回焊处理,并在进行该回焊处理的同时,该芯片是固接至该线路基板。3.根据权利要求2所述的覆晶封装制程,其特征在于其中所述的以覆晶接合方式连接该芯片与该线路基板的步骤包括藉由多数个凸块来连接该芯片与该线路基板。4.根据权利要求3所述的覆晶封装制程,其特征在于其中在回焊该些焊料块时,亦同时回焊该些凸块,以使该些凸块固着于该芯片与该线路基板之间...
【专利技术属性】
技术研发人员:许志行,
申请(专利权)人:威盛电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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