形成金属镶嵌结构的方法技术

本发明专利技术提供一种形成金属镶嵌结构的方法，其包括以下步骤。首先，在一基板上形成一介电层。接着，蚀刻介电层而形成一镶嵌开口。接着，进行电浆处理以除去在介电层上的残余杂质。接着，将金属填入镶嵌开口内。藉由在镶嵌开口蚀刻之后所进行的电浆处理，可避免由于残余杂质所造成的介电层剥离现象。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种，特别有关于一种在镶嵌开口蚀刻后，使用特殊电浆处理而形成金属镶嵌结构以避免介电层剥离的方法。
技术介绍
由于具有高导电度，铝(Al)和铝合金已成为集成电路(IC)发展中的重要导电材料。然而，随着半导体集成度的快速增加，铝和铝合金的导电度已不再能满足半导体装置的速度需求。因此，由于铜(Cu)有较低电阻值和较佳的可靠度，铜(Cu)已渐渐地取代铝而成为适用的导电材料。此外，铜比铝对于电致迁移(electromigration)有较佳的抵抗性，因此，在设计准则0.13μm以上的组件中，铜已经用于深次微米ULSI金属化和内联机上。由于铜无法使用干蚀刻法进行图案化，通常是使用镶嵌(dama scene)技术来形成铜内联机。图1a至图1d显示依据传统方法形成铜镶嵌结构的制程剖面示意图。请参阅图1a，在一第一铜层100上形成一覆盖层200(如氮化硅)。接着，形成一金属间介电层(IMD)300，其依序包括一第一介电层320，一蚀刻停止层340(例如氮氧化硅(SiON))，以及一第二介电层360。覆盖层200通常是用于避免第一铜层100扩散到其上的IMD 300。接着，请参阅图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成金属镶嵌结构的方法，其包括以下步骤：在一基板上形成一介电层；蚀刻该介电层而形成一镶嵌开口；进行电浆处理以除去在介电层上的残余杂质；以及将金属填入该镶嵌开口内。

【技术特征摘要】
US 2003-9-12 10/660,5731.一种形成金属镶嵌结构的方法，其包括以下步骤在一基板上形成一介电层；蚀刻该介电层而形成一镶嵌开口；进行电浆处理以除去在介电层上的残余杂质；以及将金属填入该镶嵌开口内。2.根据权利要求1所述的形成金属镶嵌结构的方法，其中该电浆处理是使用含氢电浆、含氮电浆、含氧电浆、或其混合物。3.根据权利要求2所述的形成金属镶嵌结构的方法，其中该含氢电浆为氢气电浆或氨气电浆。4.根据权利要求2所述的形成金属镶嵌结构的方法，其中该含氮电浆为氮气电浆或氨气电浆。5.根据权利要求2所述的形成金属镶嵌结构的方法，其中该含氧电浆为N2O电浆或氧气电浆。6.根据权利要求1所述的形成金属镶嵌结构的方法，在介电层形成之前，更包括在该基板上形成一第一金属层的步骤。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明璁，苏迪希，杨佳明，蔡庆铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]