形成金属单层膜、配线及制造场效应晶体管的方法技术

本发明专利技术提供一种制造场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜的金属单层膜的源／漏电极。该方法由以下步骤组成：在支承体上形成栅极，在支承体和栅极上形成栅绝缘膜，用硅烷偶合剂对栅绝缘膜表面进行处理，在已用硅烷偶合剂处理过的栅绝缘膜１３上，形成金属单层膜的源／漏电极，以及在源／漏电极之间保留的栅绝缘膜上形成半导体层的沟道形成区域。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成金属单层膜的方法、形成配线的方法和制造场效应晶体管的方法。
技术介绍
任何具有绝缘SiO2膜和直接形成于其上的金或铂层(用于配线或电极)的半导体器件会涉及到它们之间的粘附性的困难。防止金属层从绝缘层脱落的普遍的办法是，在它们之间嵌入钛或铬的粘附层。具有金属层和粘附层的多层结构的缺点是，在刻蚀条件下制作它们的布线图案有时会出现困难。另一个缺点是，为形成粘附层而附加的材料和过程，导致生产成本增大。而且，在具有沟道形成区域(channel-forming region)的半导体器件的情形下，该沟道形成区域连接着金的源/漏电极和钛的粘附层，钛粘附层降低了贯穿整个晶体管的沟道迁移率(channel mobility)(这是由于电荷在钛和沟道之间的移动)。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提供一种形成牢固地粘附于SiO2基底的金属单层膜的方法，提供一种形成牢固地粘附于SiO2基底的配线的方法，和提供一种生产场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜或基底的金属单层膜的源-漏电极。在实施本专利技术中以及根据其第一方面，提供在基底表面上形成金属单层膜的方法，所述方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
在基底表面上形成金属单层膜的方法，所述方法包含在形成该金属单层膜之前用硅烷偶合剂处理该基底表面。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-11 319557/031.在基底表面上形成金属单层膜的方法，所述方法包含在形成该金属单层膜之前用硅烷偶合剂处理该基底表面。2.如权利要求1所述的形成金属单层膜的方法，其中基底由基于SiO2的材料形成，金属单层膜由选自以下的一种金属形成金、铂、银、钯、铷和铑。3.形成配线的方法，包含(A)在基底上形成将要形成配线处的部分被移除的抗蚀层的步骤，(B)用硅烷偶合剂处理基底的暴露表面的步骤，(C)在抗蚀层和基底上形成金属单层膜的步骤，以及(D)以在基底上剩下金属单层膜的配线的方式，移除抗蚀层的步骤。4.形成配线的方法，包含(A)用硅烷偶合剂处理基底表面的步骤，(B)在硅烷偶合剂处理后的基底上形成金属单层膜的步骤，以及(C)通过刻蚀选择性地移除金属单层膜的步骤，因而在基底上形成金属单层膜的配线。5.如权利要求3或4所述的形成配线的方法，其中基底由基于SiO2的材料形成，金属单层膜由选自以下的一种金属形成金、铂、银、钯、铷和铑。6.制造场...

【专利技术属性】
技术研发人员：米屋伸英，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]