温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种制造场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜的金属单层膜的源／漏电极。该方法由以下步骤组成：在支承体上形成栅极，在支承体和栅极上形成栅绝缘膜，用硅烷偶合剂对栅绝缘膜表面进行处理，在已用硅烷偶合剂处理过的栅绝缘膜１３...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。