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本发明提供一种形成金属镶嵌结构的方法，其包括以下步骤。首先，在一基板上形成一介电层。接着，蚀刻介电层而形成一镶嵌开口。接着，进行电浆处理以除去在介电层上的残余杂质。接着，将金属填入镶嵌开口内。藉由在镶嵌开口蚀刻之后所进行的电浆处理，可避免由...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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