半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种内设进行收发波长短的光的元件，进行和外部的光信号的输入输出的半导体装置及其制造方法。在由底部（１２Ａ）及侧部（１２Ｂ）构成且上部具有开口部的壳体上放置半导体元件（１３）。引线（１１）配置成埋入底部（１２Ａ）且一端接近半导体元件（１３）。半导体元件（１３）和引线（１１）由金属细线（１４）连接。壳体（１２）的开口部由对半导体元件（１３）收发的光透明的材料构成的盖部（１５）覆盖。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及内设进行收发光的半导体元件的。
技术介绍
参照图6说明现有的半导体装置100的结构。图6(A)是半导体装置100的平面图，图6(B)是其剖面图。参照图6(A)及图6(B)，在半导体装置100的中央部形成有由导电材料构成的接合区102，在接合区102周围接近多条引线101的一端。引线101的一端介由金属细线105和半导体元件104电连接，另一端自密封树脂103露出。密封树脂103具有密封半导体元件104、接合区102及引线101并一体支承的作用。另外，在半导体元件104采用光学元件时，采用对光具有透明性的树脂作为密封树脂103。
技术实现思路
但是，上述的半导体元件104采用进行发出或接收波长短的光的元件时，存在问题。具体可考虑如下情况密封树脂103受到波长短的光的不利影响；通过密封树脂光信号劣化。前者，半导体元件104采用进行收发波长短的光(例如波长475nm左右的蓝激光)的元件时该光导致密封树脂103出现变色等现象。后者，由于混入有分型剂等的密封树脂16的透明度不充分，故半导体元件收发的蓝激光等的波长短的光被密封树脂16衰减。本专利技术是为解决上述问题而开发的，其主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：壳体，其由底部及侧部构成，上部具有开口部；半导体元件，其固定粘接在所述底部的表面，且其表面设有受光部或发光部；引线，其埋入所述底部配置成一端接近所述半导体元件；金属细线，其连接所述半导体元件和所述引线；盖部，其由对所述受光部接收的光或所述发送部发出的光具有透明性的材料构成，且封堵所述开口部。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-12 321051/031.一种半导体装置，其特征在于，具有壳体，其由底部及侧部构成，上部具有开口部；半导体元件，其固定粘接在所述底部的表面，且其表面设有受光部或发光部；引线，其埋入所述底部配置成一端接近所述半导体元件；金属细线，其连接所述半导体元件和所述引线；盖部，其由对所述受光部接收的光或所述发送部发出的光具有透明性的材料构成，且封堵所述开口部。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，怀自所述底部的背面部分露出的所述引线形成外部电极。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述底部表面设置凹部，所述半导体元件介由涂敷于所述凹部的粘结剂固定粘接粘接在所述底部。4.如权利要求1所述的半导体装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：井野口浩，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，关东三洋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]