半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明专利技术的目的在于：提供一种防止在半导体工序中的接合或者检查时的探测时，由于施加在衬垫电极上的应力而在衬垫电极的下层的绝缘膜产生裂纹的半导体器件。半导体器件，包括：在形成在硅衬底１０１上的绝缘膜（１１３）上形成的第１衬垫（１１６）、在第１衬垫（１１６）上形成的绝缘膜（１１７）、在绝缘膜（１１７）上形成的第２衬垫（１２１）、以及在第１衬垫（１１６）和第２衬垫（１２１）之间的绝缘膜（１１７）中形成的网状连接孔（１１９）。网状连接孔（１１９）为一个连续的结构体。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有在半导体元件上形成衬垫的POE(Pad onelement)型探针衬垫(probe pad)的半导体器件，特别涉及半导体器件中的电极衬垫部分的连接结构。
技术介绍
以下，参照附图说明图12及图13对现有的半导体器件中的电极衬垫部分的结构加以说明。图12为表示现有的半导体器件中的电极衬垫部分的结构的主要部分的剖面图；图13为图12所示的XIII-XIII线中的平面图。如图12所示，在半导体衬底1上所规定的区域中形成第1布线层2。在半导体衬底1上、和第1布线层2上所规定的区域中形成第1层间绝缘膜3。在位于第1层间绝缘膜3中的第1布线层2上的区域中，如图13所示，形成多个第1接触孔3a，在第1接触孔3a的内部、和位于第1布线层2上的第1层间绝缘膜3上，形成第2布线层4。在第1层间绝缘膜3上、和第2布线层4上所规定的区域中形成第2层间绝缘膜5。在位于第2层间绝缘膜5中的第2布线层4上的区域中，如图13所示，形成多个第2接触孔5a。并且，在第2接触孔5a的内部、和第2布线层4上所规定的区域中，形成第3布线层6。第3布线层6作为衬垫电极发挥作用。在第3布线层6上所规定的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：包括：形成在半导体衬底上的第１绝缘膜、形成在第１绝缘膜上的第１金属图案、形成在所述第１金属图案上的第２绝缘膜、形成在所述第２绝缘膜上的第２金属图案、以及形成在所述第２绝缘膜中且连接所述第１金属图案和所述第２金属图案的第３金属图案；所述第３金属图案、为一个连续的结构体；构成所述第３金属图案的金属结晶方向主轴、与所述半导体衬底的主面平行。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：桥本伸，三村忠昭，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]