【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装结构,特别是涉及一种具有单排锡球(solderball)的球栅阵列(ball grid array,BGA)封装结构。
技术介绍
一般而言,集成电路(integrated circuit,IC)的封装可分为引脚插入型(pinthrough hole,PTH)与表面安装型(surface mount technology,SMT),由于SMT符合高I/O数、高散热以及封装尺寸缩小化等要求,所以SMT业已成为IC封装技术的主流。此外,SMT主要包括球栅阵列封装(ball grid array,BGA)与芯片型封装(chip scale package,CSP),球栅阵列封装与芯片型封装均是以锡球(solder ball)取代引脚(lead),并且芯片型封装可视为极小型的球栅阵列封装。请参考图1与图2,图1为现有的一半导体封装结构的底视图,图2为图1所示的半导体封装结构沿切线2-2’的剖面示意图。如图1与图2所示,一半导体封装结构10包括一具有一上表面12a与一下表面12b的基板12,一芯片14设置于基板的上表面12a,多个焊垫(bond ...
【技术保护点】
一种半导体封装结构,该半导体封装结构设置于一第一基板上,其包括:一第二基板,其具有一第一表面与一第二表面;一芯片,设置于该第二基板的该第一表面;多个沿一第一方向排成一列的第一焊球,设置于该第二基板的该第二表面,并且该些第一焊球用来将该第二基板连接至该第一基板;以及至少一虚设焊块,设置于该第二基板的该第二表面并连接于该第一基板,用以避免该半导体封装结构倾斜。
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构,该半导体封装结构设置于一第一基板上,其包括一第二基板,其具有一第一表面与一第二表面;一芯片,设置于该第二基板的该第一表面;多个沿一第一方向排成一列的第一焊球,设置于该第二基板的该第二表面,并且该些第一焊球用来将该第二基板连接至该第一基板;以及至少一虚设焊块,设置于该第二基板的该第二表面并连接于该第一基板,用以避免该半导体封装结构倾斜。2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该第二表面的形状为一矩形,而该第一方向平行于该第二表面的长边。3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其中该虚设焊块的最大宽度约略垂直于该第二表面的长边,以避免该半导体封装结构倾斜。4.如权利要求3所述的半导体封装结构,其中该第二表面的短边的宽度小于1000微米。5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该虚设焊块包括一平坦的第三表面,连接于该第一基板,以避免该半导体封装结构倾斜。6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该半导体封装结构还包括多个第一焊垫,分别设置于各该第一焊球与该第二表面之间,以及至少一个虚设焊垫,设置于该虚设焊块与该第二表面之间。7.如权利要求5所述的半导体封装结构,其中该半导体封装结构还包括多个第二焊垫,设置于该第二基板的该第二表面,以及多个第二焊球,分别设置于该些第二焊垫上,并且该些第二焊球与该些第一焊球交错设置。8.如权利要求7所述的半导体封装结构,其中该虚设焊块的高度与各该第一焊球以及各该第二焊球的高度相同。9.如权利要求7所述的半导体封装结构,其中各该第一焊球、各该第二焊球以及该虚设焊块均包括含铅的锡金属并且熔点大约是180~235℃。10.如权利要求9所述的半导体封装结构,其中各该第一焊垫、各该第二焊垫以及该虚设焊垫均包括不含铅的锡金属并且熔点大约是180~235℃。11.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该第一基板包括一积层式印刷电路板、一共烧陶瓷基板、一薄膜沉积基板或一玻璃基板。12.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该芯片为一影像感测芯片。13.一种半导体封装结构的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员:林敏哲,
申请(专利权)人:力晶半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[]
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