中间芯片模块、半导体器件、电路基板、电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种中间芯片，用于取得半导体芯片间的电连接，具有：具有第一面和第二面的基板；向该基板的所述的一面侧突出的贯通电极；在所述基板的第二面侧，在俯视的状态下，配置在与所述贯通电极不同的位置上的柱电极；配置在所述基板中或所述基板面上，使所述贯通电极和所述柱电极导通的布线部。根据本发明专利技术，在三维芯片层叠技术中，使再配置布线成为可能。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于取得半导体芯片间的电连接的中间芯片、具有由该中间芯片进行电连接的半导体芯片的半导体器件、电路基板、电子设备。此外，本专利技术涉及中间芯片模块、半导体器件、电路基板、电子设备。
技术介绍
现在，在移动电话、笔记本电脑、PDA(Personal data assistance)等具有便携性的电子设备中，为了小型化和轻量化，谋求设置在内部的半导体芯片等各种电子元件的小型化，极端限制安装该电子元件的空间。因此，例如在半导体芯片中，对其封装方法下工夫，现在提供称作CSP(Chip ScalePackage)的超小型封装。使用CSP技术制造的半导体芯片的安装面积可以与半导体芯片的面积同等程度，所以实现了高密度安装。此外，预想到所述电子设备今后更加要求小型化和多功能化，有必要进一步提高半导体芯片的安装密度。在相关背景下，提出三维芯片层叠技术。该三维芯片层叠技术是层叠具有同样功能的半导体芯片、或具有不同功能的半导体芯片，通过用布线连接各半导体芯片件，谋求半导体芯片的高密度安装的技术(例如，参照日本特开2002-170919号公报、日本特开2002-100727号公报)。可是，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中间芯片，用于取得半导体芯片间的电连接，具有：具有第一面和第二面的基板；在该基板的所述第一面侧突出的贯通电极；在所述基板的所述第二面侧，在俯视的状态下，配置在与所述贯通电极不同的位置上的柱电极；配置在所述 基板中或所述基板面上，使所述贯通电极和所述柱电极导通的布线部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松井邦容，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]