减轻紧邻表面液体分散喷流之间交叉污染的方法和装置制造方法及图纸

通过多口喷嘴将不同的处理流体输送到半导体晶片基板上的方法和装置。所述喷嘴具有多个纵向液体歧管和气体歧管。每个歧管定位在喷嘴主体内，从而它们与喷嘴主体中相应的一个单独的入口流体相通。流体入口可以连接到外源，用于接收被散布的处理流体。另外，喷嘴包括多个喷嘴末端，用于将分散液体引导到晶片基板上。每个末端的至少一部分伸出喷嘴的底面，并且同时，末端的至少一部分伸入喷嘴主体内的液体歧管中，形成内部蓄液池。并且，喷嘴底面包括以栅格状图案形成在喷嘴末端之间的沟槽网络，并可以进一步包括多个气孔。所述气孔连接到气体歧管，用以接收增压的气体，从而形成气帘，有助于控制和引导多种处理流体到达晶片基板，减小交叉污染以及从晶片基板上的飞溅。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及微电子制造领域。更具体地，本专利技术涉及提高液体聚合物成品率和线宽性能的方法和装置。
技术介绍
平版印刷工艺是半导体工业实现较小外形尺寸同时提高成品率的不断发展的主要驱动力之一。更具体地，需要同时满足改善临界尺寸(CD)控制以及减小工艺引起的缺陷和微粒数量。显影流体模块工艺(develop fluid module process)在日渐减小的线宽布线方面起到重要的作用。在显影过程之前，通过照相平版印刷工艺步骤在防护膜上生成高和低溶解率的区域。在显影过程中，转移到防护膜上的图像通过一个湿过程显影成三维结构。随后的刻蚀过程(通常是干的)将此图像转移到基板上，基板可以是Si、SiO2、多晶Si等制成的。有很多种好的显影过程，一般包括两个主要部分。在第一主要部分中，显影流体在一个低速旋转的晶片上分散，然后是静态浆形成和长时间的静止或振荡步骤，该步骤中高溶解率区被腐蚀掉，在膜上形成三维图像。形成的图像质量、侧壁角度大小以及CD控制，都受所述显影过程第一部分的强烈影响。在显影过程的第二部分中，化学湿刻蚀步骤之后，紧接着进行去离子(DI)水冲洗步骤，主要用于将溶解的防护和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在显影流体模块中散布流体的多口喷嘴，包括：喷嘴主体，具有与至少一个流体入口流体相通的至少一个液体歧管，以及与至少一个气体入口流体相通的至少一个气体歧管；以及　用于散布流体的多个管状插头，管状插头定位在喷嘴主体内，其中 每个喷嘴插头的至少一部分从所述喷嘴主体中伸出，并且每个喷嘴插头与液体歧管流体相通，允许分散流体从其中通过；　其中所述喷嘴主体包括与气体歧管流体相通的气孔网络，该网络充分靠近所选择的喷嘴插头而形成，从而产生气体层，用于减轻从喷嘴插头释 放出的分散流体的交叉污染。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A源，
申请(专利权)人：硅谷集团公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]