【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，已开发出了在半导体基板上制造碳纳米管和量子点等的数十纳米以下的微细结构的技术。例如，非专利文献1公开了使碳纳米管排列在氧化硅上的技术。非专利文献2公开了使用CVD法制造碳纳米管的技术。这些文献中记载的碳纳米管例如非专利文献3中记载的那样应用于晶体管，或者，如非专利文献2中记载的那样应用于FED(场致发射显示器)中使用的场致发射器。非专利文献4记载了自匹配地并列量子点的方法。此外，非专利文献5公开了组合两个硅量子点的量子位。这些量子点用于例如单电子元件和量子计算机中。非专利文献1B.Q.Wei等，Nature，Vol.416，P495(2002)非专利文献2Ago等，Appl.Phys.Lett，Vol.77，P79(2000)非专利文献3R.Martel等，Appl.Phys.Lett，Vol.73，P2447(1998)非专利文献4G.Springholtz等，Phys.Rev.Lett，Vol.84，P4669(2000)非专利文献5T.Tanamoto等，Physical Review A.Vol.61，pp02230...
【技术保护点】
一种电极制造方法，其特征在于，具有： 在基板的表面上形成多个突出部的突出部形成步骤； 向上述多个突出部间导入大小随热、光或第一溶剂而变化的第一粒子的第一粒子导入步骤； 通过对第一粒子赋予热、光或第一溶剂中的任一种，来变更该第一粒子的大小的尺寸变更步骤；以及 向上述基板的表面淀积电极材料的电极材料淀积步骤。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：棚本哲史，斋藤聪，藤田忍，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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