具有透湿窗的铜互连线可靠性测量的测试图案及其制造方法技术

揭示一种具有透湿窗而能可靠性测量铜互连线的测试图案，及其制造方法。此方法的步骤包括：于基板上形成第一层间绝缘层；第一层间绝缘层内嵌入多个底部铜互连线；在多个底部铜互连线和第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层；第二层间绝缘层嵌入多个顶部铜互连线，并经由多个接触孔连接至多个底部铜互连线；以及多个顶部铜互连线上覆盖钝化层，其具有在电迁移测试时可透湿的多个透湿窗。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种测试图案的方法，以及更明确而言是关于一种能测量电迁移的测试图案。
技术介绍
测量电迁移(EM)的方法被用于半导体装置的互连线的可靠性测试。一般而言，金属原子移动的EM现象发生于半导体装置之间，更明确而言发生于半导体装置内的金属互连线之间。EM现象造成半导体装置的劣化及操作上的错误。因此，制造半导体装置过程中必需通过金属互连线间产生EM现象的精密测量以了解导致上述问题的原因，因而可采取解决该问题的适当对策。测量封装级EM已有一种典型测量EM现象的方法。然而，此方法需较高的封装成本、较大的设备投资及较长测量EM现象的时间。近期，由于半导体装置的研发上极为竞争，故此种测试方法不仅研发成本较高并且因担误研发时间而造成极严重后果。为克服此问题，建议使用一种测量晶片级EM的方法。此测量晶片级EM的方法为执行于封装过程未完成之前。上述方法和一般测量晶片级EM方法比较可减少时间和成本的浪费。图1A为测量EM的常规铜互连线构造的俯视图。图1B为图1A中沿A-A’方向的常规铜互连线构造的剖面图。图1C为图1A中沿B-B’方向的常规铜互连线构造的剖面图。参考图1A，多个底部金属图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造测试图案的方法，其能可靠性测量具有透湿窗的铜互连线，其包括：半导体基板；　形成于基板上的第一层间绝缘层；嵌入第一层间绝缘层内的多个底部铜互连线；多个底部铜互连线和第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层； 嵌入第二层间绝缘层的多个顶部铜互连线，并经由多个接触孔连接至多个底部铜互连线；以及覆盖多个顶部铜互连线的钝化层，其具有在电迁移测试时可透湿的多个透湿窗。

【技术特征摘要】
KR 2003-11-18 10-2003-00813951.一种制造测试图案的方法，其能可靠性测量具有透湿窗的铜互连线，其包括半导体基板；形成于基板上的第一层间绝缘层；嵌入第一层间绝缘层内的多个底部铜互连线；多个底部铜互连线和第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层；嵌入第二层间绝缘层的多个顶部铜互连线，并经由多个接触孔连接至多个底部铜互连线；以及覆盖多个顶部铜互连线的钝化层，其具有在电迁移测试时可透湿的多个透湿窗。2.如权利要求1所述的方法，其中该测试图案进一步包括至少一铝垫，其通过通过多个透湿窗周围的一部分钝化层而连接至多个顶部铜互连线且接触探头以便于测试EM。3.如权利要求1所述的方法，其中多个底部铜互连线和多个顶部铜互连线被扩散阻隔层所包围以避免铜原子的扩散。4.如权利要求2所述的方法，其中多个底部铜互连线和多个顶部铜互连线被扩散阻隔层所包围以避免铜原子的扩散。5.如权利要求1所述的方法，其中透湿窗为一种开口于第二层间绝缘层顶部的线型窗，其可使湿度经由第二层间绝缘层流入顶部铜互连线。6.如权利要求2所述的方法，其中具有开口于第二层间绝缘层顶部的多个线型透湿窗可使湿度经由第二层间绝缘层流入多个顶部铜互连线。7.一种制造测试图案的方法，其能可靠性测量具有透湿窗的铜互连线，其步骤包括于基板上第一层间绝缘层内形成一沟槽；在多个底部铜互连线和第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层；通过双嵌蚀刻过程形成埋入第二层...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相荣，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]