【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于半导体，更具体地说，本专利技术关于具有执行相同功能的多个功能单元的自修复半导体。
技术介绍
在半导体工业，有一种增加的趋势，这就是加倍地更高度地集成集成电路。例如，半导体可包括多个通常是独立的功能单元，它们执行相同的功能。每个功能单元具有子功能单元。现参考图1，半导体8包括M个一般独立的功能单元10-1、10-2......和10-M(总称为功能单元10)，它们执行相同高度水平的功能。每个功能单元10包括相同的N个子功能单元。例如，功能单元10-1包括子功能单元11、21、31、......和N1。功能单元10-2包括子功能单元12、22、32、......和N2。功能单元10-M包括子功能单元1M、2M、3M、......和NM。在一行中的子功能单元执行相同的低水平的功能。典型地，除了接地和电源，在功能单元之间没有连接。然而，在功能单元中的子功能单元之间有连接。这些连接可以是单向的也可以是双向的，并且可以包括一个或多个连接线。现参考图2，示例的功能单元可以是吉比特(Gigabit)的物理层器件70。例如，四个或八个吉比特物理层器件可制造于半导体...
【技术保护点】
一种自修复半导体，其包括：第一功能单元，该第一功能单元包括第一、第二和第三子功能单元，这些子功能单元合作执行第一功能，其中所述第一子功能单元与所述第二和／或第三子功能单元中的至少一个通信，并且所述第二子功能单元与所述第一和／或第三子 功能单元中的至少一个通信；第一备用功能单元，其包括第一、第二和第三子功能单元，其中所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元，以及所述第一备用功能单元分别是功能上可交换的；以及开关器件，其与所述第一功能单元的所述第一、 第二和第三子功能单元及所述第一备用功能单元通信，并且当所述第一功能单元的所述...
【技术特征摘要】
US 2003-12-18 60/531,023;US 2004-7-16 10/892,7071.一种自修复半导体，其包括第一功能单元，该第一功能单元包括第一、第二和第三子功能单元，这些子功能单元合作执行第一功能，其中所述第一子功能单元与所述第二和/或第三子功能单元中的至少一个通信，并且所述第二子功能单元与所述第一和/或第三子功能单元中的至少一个通信；第一备用功能单元，其包括第一、第二和第三子功能单元，其中所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元，以及所述第一备用功能单元分别是功能上可交换的；以及开关器件，其与所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元及所述第一备用功能单元通信，并且当所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元中的至少一个不可操作时，所述开关器件用所述第一备用功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元中的至少一个，取代所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元中的至少一个。2.根据权利要求1所述的自修复半导体，其进一步包括控制器，该控制器识别所述自修复半导体上的至少一个不可操作子功能单元，并且其为配置所述开关器件产生配置数据以取代所述至少一个不可操作子功能单元。3.根据权利要求2所述的自修复半导体，其中所述控制器位于所述自修复半导体上。4.根据权利要求2所述的自修复半导体，其中所述控制器远离所述自修复半导体定位，并且进一步包括存储器，该存储器位于所述自修复半导体上，以便为所述开关器件存储所述配置数据。5.根据权利要求1所述的自修复半导体，其中所述第一功能单元和所述第一备用功能单元被布置在所述自修复半导体的一个行和列中，并且所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元和所述第一备用功能单元布置在其它的行和列中。6.根据权利要求1所述的自修复半导体，其进一步包括第二功能单元，该第二功能单元包括第一、第二和第三子功能单元，其中所述第一和第二功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元分别是功能上可交换的，并且其中所述第一备用功能单元位于所述第一和第二功能单元之间，并且临近所述第一或所述第二功能单元中的一个。7.根据权利要求6所述的自修复半导体，其中所述第一、第二功能单元和所述第一备用功能单元布置在所述自修复半导体的一个行和列中，并且所述第一、第二和所述第一备用功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元布置在其它的行和列中。8.根据权利要求1所述的自修复半导体，其中所述开关器件中的至少一个包括多路转换器，其接收y个输入，并且选择性地输出所述y个输入中的一个。9.根据权利要求8所述的自修复半导体，其中所述多路转换器接收来自第一、第二和第三子功能单元的输出信号，并且这些子功能单元功能上可交换。10.根据权利要求1所述的自修复半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：S苏塔迪亚，P苏塔迪亚，W洛，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：BB[巴巴多斯]
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