多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜太阳能电池的多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法，首次采用ＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］ＯＨ来取代ＣＨ↓［３］ＣＮ作溶剂，用一步流化反应取代两步流化反应，制取性能稳定、组成可控的ＣｕＩｎＳ↓［２］、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ↓［２］等多元硫属半导体光电薄膜，用来组装低成本、高光电转换效率的薄膜太阳能电池。本发明专利技术的阳离子前驱体溶液的组分及重量比为ＣｕＣｌ↓［２］∶ＧａＣｌ↓［３］∶ＩｎＣｌ↓［３］＝０．２５∶０∶０．３７～０．４７∶０．２２∶０．７３，重量单位为克，以５０ｍｌＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］ＯＨ为溶剂，Ｈ↓［２］Ｓ为硫源，ｐＨ值为３～５，在室温下进行制备；经过渡膜和热处理后制得所需的光电薄膜。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于薄膜太阳能电池多元硫属光电薄膜的制备方法，尤其关于。
技术介绍
随着现代经济的迅速发展，能源和环境问题是当前人类面临的两大主要问题。煤、石油和天然气等常规能源由于其不可再生，必将面临严重短缺的局面。此外，消耗常规能源所引发的环境污染以及温室气体排放又造成全球气候的不断恶化。因而，各个国家都开始制定了相应的政策，加强绿色可再生能源的研究和开发。太阳能由于具有取之不尽、用之不竭、安全可靠、无污染、不受地理环境制约等优点，将成为人类最持久的未来的现实能源。在太阳能的有效利用中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，许多学者致力于太阳能光电电池的研究，以此作为开发太阳能资源的新技术。在太阳能电池中，硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的，但由于成本居高不下，远不能满足大规模推广应用的要求。为此，人们从改进工艺、寻找新材料、电池薄膜化等方面进行探索。其中，以I-III-VI2族硫属半导体薄膜为基础的薄膜太阳能电池因具有价格低廉、性能优良和工艺简单的优点成为最有希望的光电转换器件，是目前国际太阳能电池研究领域的热点。I-III-VI2族硫属半导体光电薄膜的制备方法有很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法，包括如下步骤：（Ａ）前驱体溶液的配制：阳离子前驱体溶液的组分及重量比为ＣｕＣｌ↓［２］∶ＧａＣｌ↓［３］∶ＩｎＣｌ↓［３］＝０．２５∶０∶０．３７～０．４７∶０．２２∶０．７３，重 量单位为克；以５０ｍｌＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］ＯＨ为溶剂，Ｈ↓［２］Ｓ为硫源，ＰＨ值为３～５，在室温下进行制备；（Ｂ）镀膜：ａ、将衬底浸入混合阳离子前驱体溶液中表面吸附１０～２０秒，然后以５～１０ｃｍ／ｍｉｎ的速度提拉成膜； ｂ、通入Ｎ↓［２］气干燥１０～２０秒，流速为２０～５０ｍｌ／ｍｉｎ；ｃ、常温下通入Ｈ↓［２］Ｓ气...

【技术特征摘要】
1.一种多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法，包括如下步骤(A)前驱体溶液的配制阳离子前驱体溶液的组分及重量比为CuCl2∶GaCl3∶InCl3＝0.25∶0∶0.37～0.47∶0.22∶0.73，重量单位为克；以50ml CH3CH2OH为溶剂，H2S为硫源，PH值为3～5，在室温下进行制备；(B)镀膜a、将衬底浸入混合阳离子前驱体溶液中表面吸附10～20秒，然后以5～10cm/min的速度提拉成膜；b、通入N2气干燥10～20秒，流速为20～50ml/min；c、常温下通入H2S气体进行硫化反应，流速为20～50ml/min；d、再次通入N2气吹扫10～20秒，流速为20～50ml/min；e、将这个循环反...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳正国，邱继军，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]