非易失性半导体存储器件制造技术

非易失性存储元件（１０）通过依次层叠下部电极（７）、可变电阻体（８）和上部电极（９）构成，可变电阻体（８）在结晶和无定形混合存在的状态下成膜，形成非易失性存储元件（１０）。更为理想的是，可变电阻体（８）是在３５０℃～５００℃的范围内的成膜温度下成膜的可用通式Ｐｒ↓［１－ｘ］Ｃａ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］表示的镨.钙.锰氧化物。或者，可变电阻体（８）通过在形成无定形状态或者结晶和无定形混合存在的状态的成膜温度下成膜后，在比上述成膜温度高的温度下并且在可变电阻体（８）能够维持结晶和无定形混合存在的状态的温度范围内进行退火处理而形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性半导体存储器件，更详细也说，涉及包括具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体的可变电阻元件的非易失性半导体存储器件。
技术介绍
近年来，作为取代闪速存储器、可高速工作的下一代非易失性随机存取存储器(NVRAM)，提出了FeRAM(铁电RAM)、MRAM(磁RAM)、OUM(双向统一存储器)等各种器件结构，从优良性能、高可靠性、低成本和工艺的匹配性的观点看，正在进行激烈的开发竞争。但是，现有的这些存储器件各有所长，也各有所短，距实现兼具SRAM、DRAM、闪速存储器各自的优点的“万能存储器”的理想尚远。例如，已实用化的FeRAM利用了氧化物铁电体的自发极化反转现象，具有低功耗、高速工作的特征，但有成本高、破坏性读出这样的缺点。利用了在MRAM中所使用的巨磁阻效应(GMR)的铁磁性隧道效应元件具有以由Fe、Co、Ni等构成的2个铁磁性体层夹持Al2O3等极薄的绝缘层(隧道势垒层)的结构，借助于改变铁磁性体层的磁化(自旋)方向来控制流经绝缘层的隧道电流的大小，显现存储效应，但这里存在写入时磁化反转时的高功耗和微细化困难的大问题。另外，基于硫属化物材料的热相变的OU本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：包括具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体的可变电阻元件，上述可变电阻体在结晶和无定形混合存在的状态下成膜。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-14 6321/041.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于包括具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体的可变电阻元件，上述可变电阻体在结晶和无定形混合存在的状态下成膜。2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于上述可变电阻元件依次层叠了下部电极、上述可变电阻体和上部电极而成。3.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于上述可变电阻体是在350℃～500℃的范围内的成膜温度下成膜的可用通式Pr1-xCaxMnO3表示的镨·钙·锰氧化物。4.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：川添豪哉，玉井幸夫，岛冈笃志，萩原直人，增田秀俊，铃木利昌，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]