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非易失性存储元件（１０）通过依次层叠下部电极（７）、可变电阻体（８）和上部电极（９）构成，可变电阻体（８）在结晶和无定形混合存在的状态下成膜，形成非易失性存储元件（１０）。更为理想的是，可变电阻体（８）是在３５０℃～５００℃的范围内的成膜温...
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