制造用于显示器的基板及用该基板制造显示器的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造用于显示器的基板及用该基板制造显示器的方法，并且旨在提供一种具有高亮度和实现高显示质量的显示器。提供一种制造用于显示器的基板的方法，在该方法中：在一栅极总线上形成一绝缘膜；在该绝缘膜上形成一栅极总线端子；在该栅极总线端子上形成一保护膜；将形成于该保护膜上的一抗蚀层图案化以形成一抗蚀图案；以及通过去除该保护膜和该绝缘膜，利用该抗蚀图案形成露出该栅极总线的第一接触孔，并且通过去除该保护膜，利用该抗蚀图案形成露出该栅极总线端子的第二接触孔，该抗蚀图案形成为在该第二接触孔上方的厚度小于该抗蚀图案在其他区域中的厚度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造用于显示器的基板的方法与一种利用该基板制造显示器的方法，更特别地，涉及一种制造用于具有多条总线的显示器的基板的方法与一种利用该基板制造显示器的方法，这些总线通过其间插入的绝缘膜彼此交叉。
技术介绍
近年来，液晶显示器被要求具有高清晰度和高质量显示性能。能够获得高显示性能的有源矩阵液晶显示器包括一TFT基板，具有一薄膜晶体管(TFT)(其为切换装置)和在每个像素处的一像素电极；一相对基板，具有一公用电极和一滤色镜(CF)层；以及在这些基板之间密封的一液晶。图17说明按照有关现有技术的TFT基板的像素和端子部分的邻近结构。如图17中所示，TFT基板102具有在图中的水平方向上延伸的栅极(gate)总线112和在图中的垂直方向上延伸的漏极总线114，从而漏极总线与栅极总线112通过其间插入的绝缘膜(图中未示出)而彼此交叉。图中栅极总线112的右端连接于栅极总线端子152。图中漏极总线114的上端连接于漏极总线端子154。TFT120形成于栅极总线112和漏极总线114之间的交叉邻近处。部分栅极总线112用作TFT120的栅极，并且TFT120的漏极121连接于漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造用于显示器的基板的方法，包括如下步骤：在一基本基板上形成一具有一预定形状的第一电极层；在该第一电极层上形成一第一绝缘层；在该第一绝缘层上形成一具有一预定形状的第二电极层；在该第二电极层上形成一第二绝缘 层；在该第二绝缘层上形成一抗蚀层；通过将该抗蚀层图案化形成一具有一预定形状的抗蚀图案；通过利用该抗蚀图案去除该第一和第二绝缘层，形成一第一接触区域，在该区域中，该第一电极层被露出；以及通过利用该抗蚀图案去除该 第二绝缘层，形成一第二接触区域，在该区域中，该第二电极层...

【技术特征摘要】
JP 2004-1-30 2004-0232811.一种制造用于显示器的基板的方法，包括如下步骤在一基本基板上形成一具有一预定形状的第一电极层；在该第一电极层上形成一第一绝缘层；在该第一绝缘层上形成一具有一预定形状的第二电极层；在该第二电极层上形成一第二绝缘层；在该第二绝缘层上形成一抗蚀层；通过将该抗蚀层图案化形成一具有一预定形状的抗蚀图案；通过利用该抗蚀图案去除该第一和第二绝缘层，形成一第一接触区域，在该区域中，该第一电极层被露出；以及通过利用该抗蚀图案去除该第二绝缘层，形成一第二接触区域，在该区域中，该第二电极层被露出，其中形成该抗蚀图案的步骤在该第一接触区域上去除该抗蚀层，并且在该第二接触区域上形成该抗蚀图案，其具有比在其他区域中的抗蚀图案的厚度要小的厚度。2.如权利要求1所述的制造用于显示器的基板的方法，其中形成该抗蚀图案的步骤包括进行半色调曝光的步骤。3.如权利要求2所述的制造用于显示器的基板的方法，其中使用一正性抗蚀剂作为一形成该抗蚀层的材料；以及所述进行半色调曝光的步骤以比在该第一接触区域上的该抗蚀层所用的曝光剂量要小的曝光剂量，在该第二接触区域上对该抗蚀层曝光。4.如权利要求2所述的制造用于显示器的基板的方法，其中所述进行半色调曝光的步骤利用一光掩模，该光掩模具有一阻挡光的阻光区域，一透射光的透射区域，以及一以比该透射区域中的光透射率要小的光透射率透射光的半透射区域。5.如权利要求1所述的制造用于显示器的基板的方法，其中所述去除该第一和第二绝缘层的步骤采用干蚀刻。6.如权利要求5所述的制造用于显示器的基板的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：出岛芳夫，
申请(专利权)人：富士通显示技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]