【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铁电存储器元件的制造方法。
技术介绍
利用铁电体特有的自发极化特性的非易失性存储器元件(铁电存储器元件)，从其可高速读写、低电压动作的特征来看，它是一种隐含具有替代从现有非易失性存储器元件到SDAM、DRAM等绝大多数存储器元件的可能性的终极存储器，因而备受瞩目。作为铁电体材料来说，可以举出很多的例子，其中，以锆钛酸铅PZT为首的钙钛矿型氧化物和SrBi2Ta2O9等的铋层状化合物，因为具有极其优异的铁电特性，而备受瞩目。一般，将上述的氧化物材料作为电容器绝缘层来使用时，形成上电极后，以各存储器元件间的电绝缘为主要目的，使用SiO2等的层间绝缘膜来覆盖。作为该成膜方法，一般使用段差覆盖性优异的CVD法(Chemical Vapor Deposition)。可是，使用这样的成膜方法，生成了反应的副产物氢。性能特别活跃的氢，如果透过SiO2和上电极到达铁电薄膜，由于其还原作用，使铁电体的结晶性受损，从而显著劣化电特性。此外，由于元件制造步骤中发生的单晶硅中的结晶缺陷，导致作为开关元件的MOS晶体管的特性劣化，因此，需要在最后阶段，在氢氮混合气体中实施...
【技术保护点】
一种铁电存储器元件，其特征在于，包括：１）铁电电容器，其由在半导体衬底上形成的下部电极、氧化物铁电薄膜以及上部电极构成；２）层间绝缘膜，其形成在所述铁电电容器上；３）接触孔，其在所述层间绝缘膜的所述上部电极上开口；以 及４）布线层，其通过所述接触孔与所述上部电极连接；并且，在所述接触孔的内壁设置具有氢屏障功能的薄膜。
【技术特征摘要】
JP 2004-3-26 2004-0920131.一种铁电存储器元件，其特征在于，包括1)铁电电容器，其由在半导体衬底上形成的下部电极、氧化物铁电薄膜以及上部电极构成；2)层间绝缘膜，其形成在所述铁电电容器上；3)接触孔，其在所述层间绝缘膜的所述上部电极上开口；以及4)布线层，其通过所述接触孔与所述上部电极连接；并且，在所述接触孔的内壁设置具有氢屏障功能的薄膜。2.根据权利要求1所述的铁电存储器元件，其特征在于，在所述层间绝缘膜上形成具有氢屏障功能的薄膜。3.根据权利要求1或2所述的铁电存储器元件，其特征在于，所述布线层的表面被具有氢屏障功能的薄膜覆盖。4.根据权利要求1至3中任一项所述的铁电存储器元件，其特征在于，所述布线层的侧面被具有氢屏障功能的薄膜覆盖。5.根据权利要求1至4中任一项所述的铁电存储器元件，其特征在于，所述布线层由贵金属构成。6.根据权利要求5所述的铁电存储器元件，其特征在于，在所述布线层的最下层设置铱的氧化物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的铁电存储器元件，其特征在于，所述铁电电容器的侧壁被具有氢屏障功能的薄膜覆盖。8.根据权利要求1至7中任一项所述的铁电存储器元件，其特征在于，在所述铁电电容器的下部设置具有氢屏障功能的薄膜。9.根据权利要求1至8中任一项所述的铁电存储器元件，其特征在于，所述具有氢屏障功能的薄膜是包括铝、钛、铪、锆、镁或钽中的至少一种元素的氧化物。10.根据权利要求1至9中任一项所述的铁电存储器元件，其特征在于，所述层间绝缘膜的与所述铁...
【专利技术属性】
技术研发人员：田村博明，田川辉男，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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