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本发明公开了一种铁电层不受铁电存储器元件形成过程产生氢气的还原损害的铁电存储器元件及其制造方法。该铁电存储器元件及其制造方法的特征在于，用氢屏障膜覆盖铁电电容器的同时，也在设置于该铁电电容器上电极上的接触孔内壁上覆盖氢屏障膜，从而防止氢气从...
该专利属于精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。

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