薄膜晶体管及其制造方法技术

一种制造ＴＦＴ的方法，包括：蚀刻衬底（１）上的基层结构（９），使得形成具有朝向顶点区（１２）延伸的斜侧边缘（４ａ、４ｂ）的栅极（４），该顶点区（１２）具有半径为几纳米的尖端（１３），在该斜侧边缘和该顶点区之上淀积非晶硅沟道层（６），在该沟道层之上淀积金属层（８），使得覆盖该顶点区和该侧边缘，在该导电材料之上涂覆一层掩蔽材料（１４）并对其进行选择性蚀刻，以便该顶点区中的金属层（８）从该掩蔽材料伸出穿过并直立，以及选择性地蚀刻该顶点区中伸出穿过该掩蔽材料（１４）的金属（８），以便提供覆盖该斜边缘、其间具有短沟道（Ｌ）的分开的自对准的源区和漏区（８ａ、８ｂ）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如可以在有源矩阵液晶显示器(AMLCD)或其它平板显示器中使用的薄膜晶体管(TFT)的制造。如在本领域所公知的，在液晶和其它的平板显示器中使用TFT来控制或感测显示器中各个像素的状态。例如在美国专利US-A-5 130829中描述的，利用非晶或多晶半导体膜，可以将这些晶体管制造在廉价的绝缘基板诸如玻璃或塑料材料上。通过连续淀积多层不同的材料形成TFT，且常规地，可生产大致水平设置的晶体管，其具有由光刻工艺限定的沟道长度。通常优选较短的沟道长度，因为它减小了杂散电容并增加了显示器的孔径比。能够制造具有比由水平光刻和蚀刻所制造的更短沟道长度的垂直TFT。在垂直TFT的制造中，通常将沟道长度限定在与衬底基本垂直的平面中。栅极可形成在衬底上并可以淀积非晶硅层，使得从栅极的上表面沿着其垂直延伸边缘中之一向下、并水平跨越衬底而延伸。非晶硅层的向下延伸部分提供了垂直延伸的沟道，且利用准分子激光器对其覆盖栅极和衬底的部分进行退火，使得在沟道端部提供源区和漏区。引入M.Matsumura & A.Saitoh，MRS Symp.Proc.467卷(1997)，第8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造ＴＦＴ的方法，包括：蚀刻衬底（１）上的基层结构（９），使得形成具有朝向顶点区（１２）延伸的斜侧边缘（４ａ、４ｂ）的栅极（４），淀积材料，以在该斜侧边缘和该顶点区之上形成沟道层（６），在该沟道层之上淀积导电材料（８），以便覆盖该顶点区和该侧边缘，在该导电材料（８）之上施加一层掩蔽材料（１４），以便该顶点区中的导电材料从该掩蔽材料伸出穿过并直立，以及选择性地蚀刻该顶点区中伸出穿过该掩蔽材料的该导电材料，以便提供覆盖该斜边缘的分开的源区和漏区（８ａ、８ｂ）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2002-8-20 0219471.01.一种制造TFT的方法，包括蚀刻衬底(1)上的基层结构(9)，使得形成具有朝向顶点区(12)延伸的斜侧边缘(4a、4b)的栅极(4)，淀积材料，以在该斜侧边缘和该顶点区之上形成沟道层(6)，在该沟道层之上淀积导电材料(8)，以便覆盖该顶点区和该侧边缘，在该导电材料(8)之上施加一层掩蔽材料(14)，以便该顶点区中的导电材料从该掩蔽材料伸出穿过并直立，以及选择性地蚀刻该顶点区中伸出穿过该掩蔽材料的该导电材料，以便提供覆盖该斜边缘的分开的源区和漏区(8a、8b)。2.根据权利要求1的方法，包括施加该掩蔽材料(14)来覆盖该顶点区，且接着选择性地移除该掩蔽材料，以便在该顶点区(12)中的该导电材料(8)从该掩蔽材料伸出穿过并直立。3.根据权利要求2的方法，其中该掩蔽材料包括光致抗蚀剂(14)，且包括旋涂该衬底以用该光致抗蚀剂覆盖该导电材料。4.根据权利要求3的方法，包括选择性地蚀刻该光致抗蚀剂(14)，以暴露出该顶点区(12)。5.一种根据前述任意一项权利要求的方法，其中对该基层结构(9)进行蚀刻，以便在该顶点区中形成具有几纳米半径的尖端(13)。6.一种制造TFT的方法，包括蚀刻衬底上的基层结构(9)，以便形成具有朝向顶点区(12)延伸的斜侧边缘(4a、4b)的基区(4)，该顶点区(12)包括半径为几纳米的尖端(13)，淀积材料，以在顶点区和该斜侧边缘之上形成沟道层(6)，在该沟道层之上淀积导电材料(8)，和选择性地蚀刻该顶点区中的该导电材料，以便提供覆盖该斜边缘的分开的源区和漏区(8a、8b)，以及在所述的基区中提供栅极(4)。7.根据权利要求5或6的方法，包括在淀积该沟道层之前移除该尖端(13)。8.一种根据前述任意一项权利要求的方法，包括在该栅极之上淀...

【专利技术属性】
技术研发人员：PW格林，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]