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一种制造ＴＦＴ的方法，包括：蚀刻衬底（１）上的基层结构（９），使得形成具有朝向顶点区（１２）延伸的斜侧边缘（４ａ、４ｂ）的栅极（４），该顶点区（１２）具有半径为几纳米的尖端（１３），在该斜侧边缘和该顶点区之上淀积非晶硅沟道层（６），在该沟道...
该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家飞利浦电子股份有限公司授权不得商用。

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