一种发光二极管的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管封装结构，其特点在于，包含：一金属基座；一导线架，具有多个引脚，各该引脚分别具有一焊线区，所述焊线区环设于所述金属基座顶侧周缘；一塑胶壳体，包覆所述金属基座周缘与所述导线架，其具有一开口暴露所述金属基座顶面中央区域，而形成一反射杯，并露出所述引脚外端及所述焊线区；至少一发光芯片，结合于所述反射杯中的金属基座顶面，并通过多个焊线电性连接所述焊线区；及一透镜，封装所述塑胶壳体。本发明专利技术可提高封装结构的散热能力与光输出效率，还可供多芯片封装，达到混色全彩的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及一种以埋入射出方式结合导线架、金属基座与塑胶壳体，并形成高反射率反射杯的封装结构及封装方法。
技术介绍
在发光二极管封装
中，由于发光芯片在产生光线的过程中持续放热，因而必须将发光芯片直接设置在散热能力良好的材料(如金属)上；不过，如欲兼顾封装的方便性，则往往需要使用到塑胶材料。但是，塑胶与散热基材的双材料结构，却具有结合强度上的缺陷。请参阅图1，为现有技术中发光二极管(LED)的封装结构，先利用射出成形的塑胶壳体10包覆导线架11，再粘着一金属块12于塑胶壳体10下方的穿孔17；此金属块12顶面冲压成型出缺凹的一反射杯16，当金属块12与塑胶壳体10结合时，穿过塑胶壳体10阶梯状的穿孔17，并使反射杯16暴露于塑胶壳体10顶面，以将发光芯片13接着于金属块12的反射杯16杯底；待发光芯片13与导线架11的引脚91、92焊线14完成后，即形成发光芯片13的外接电路；而后再于塑胶壳体10与发光芯片13上方接着一透镜15，便完成封装。此一结构通过金属块12的反射杯16，可使光源输出于一特定角度范围内；而金属块12可直接将发光芯片13的温度传导至外界，起到散热作用。然而，上述结构具有一些缺点。其利用粘着方式结合金属块12与塑胶壳体10，容易发生接着不匀、产生空隙的情形，从而造成金属块12脱落位移、水气进入封装结构内，以致于导致产品失效。并且，金属块12冲压成型的反射杯16内壁面反射率欠佳，无法有效地将发光芯片13向侧面照射的光线，进行高效率的反射而损耗；其次，其导线架11的设计也只能供单一芯片封装，无法制作多芯片封装，而单一封装结构也无法达到混色或全彩的光源输出效果。图2是另一种现有技术的发光二极管封装结构，高散热系数的基板00顶面被覆有一层绝缘层01，绝缘层01上则设有表面铜层06、07，而表面铜层06、07上则具有表面引刷层05。首先，钻出一个通过绝缘层01、露出基材00的盲孔08；将芯片02固定于盲孔08内的基材00上之后，再连接焊线03于表面铜层06、07上；最后，在盲孔08内点上树脂04以封装焊线03与芯片02，如此即完成封装；露出于表面引刷层05的铜层06、07，即是产品的两个电极。此一结构虽无图1所示结构的结合强度问题，但因为基板00上盲孔08内壁面反射芯片02侧向光线的能力极差，即便欲以电镀方式改善，也因为其结构设计问题，无法仅局部电镀于盲孔08位置；盲孔08的低反射率，导致整体亮度下降。因此，现有的发光二极管封装技术，尚未兼顾散热能力、结构强度与光输出效率；事实上，在制作效率及产品信赖度上，同样具有相当的改善空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种发光二极管封装结构及封装方法，不仅可提高封装结构的散热能力与光输出效率，还可供多芯片封装，达到混色全彩的效果。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种发光二极管封装结构，其特点在于，包含一金属基座；一导线架，具有多个引脚，各该引脚分别具有一焊线区，所述焊线区环设于所述金属基座顶侧周缘；一塑胶壳体，包覆所述金属基座周缘与所述导线架，其具有一开口暴露所述金属基座顶面中央区域，而形成一反射杯，并露出所述引脚外端及所述焊线区；至少一发光芯片，结合于所述反射杯中的金属基座顶面，并通过多个焊线电性连接所述焊线区；及一透镜，封装所述塑胶壳体。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述金属基座顶面具有一平台，位于所述反射杯中，且所述发光芯片位于所述平台上。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述金属基座周缘外突一延伸部。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述引脚具有相连的一内引脚与一外引脚，所述内引脚具有一弯折部，使其形成末端较高的折弯阶层，且所述焊线区位于所述内引脚上，而所述外引脚则供与外部电路连接。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述内引脚末端端缘成凹弧状，且所述内引脚末端的凹弧状端缘共圆。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述导线架的引脚与所述焊线区的数量为4个。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述塑胶壳体周缘具有较高的一侧墙。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述侧墙内具有高度低于所述侧墙的接合部。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述塑胶壳体由PPA材料制作。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述透镜由一激光材料形成。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述透镜由含有一激光材料的一树脂形成。上述发光二极管封装结构，其特点在于，还包含一内胶覆盖于所述反射杯与所述焊线区。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述内胶含有一激光材料。上述发光二极管封装结构，其特点在于，所述内胶为一激光材料。本专利技术还提供一种发光二极管封装方法，其特征在于，包含以下步骤步骤41，以埋入射出方式，射出成形多个塑胶壳体于一支架的多个导线架上，所述塑胶壳体分别包覆一金属基座，且形成一反射杯于所述金属基座露出的顶面上，并露出所述导线架的多个焊线区；步骤42，分别接合至少一发光芯片于所述反射杯中的所述金属基座顶面；步骤43，以多个焊线电性连接所述发光芯片与所述焊线区；及步骤44，封装所述塑胶晶座。上述发光二极管封装方法，其特点在于，还包含一冲压裁切所述支架的步骤，以分离已完成封装的所述导线架。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述金属基座顶面具有一平台，位于所述反射杯中，且所述发光芯片位于所述平台上。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述金属基座周缘外突一延伸部。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述塑胶壳体周缘射出成形较高的一侧墙。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述导线架具有多个引脚，所述内引脚具有一弯折部，使其形成末端较高的折弯阶层，且所述焊线区位于所述内引脚上，而所述外引脚则供与外部电路连接。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述内引脚末端端缘成凹弧状，且所述内引脚末端的凹弧状端缘共圆。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述封装步骤以一树脂材料覆盖于所述塑胶壳体上。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述树脂材料含有一激光材料。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述封装步骤以一激光材料覆盖于所述塑胶壳体上。上述发光二极管封装方法，其特点在于，所述封装步骤包含以一内胶覆盖于所述反射杯与所述焊线区的步骤。上述发光二极管封装方法，其特点在于，还包含以一树脂材料覆盖于所述内胶上的步骤。上述发光二极管封装方法，其特点在于，还包含以一透镜结合于未干的所述树脂材料的步骤。上述发光二极管封装方法，其特点在于，还包含以下步骤提供具有一凹槽的一模粒，所述凹槽内注入一树脂材料；将已封装所述内胶的所述塑胶壳体，向下贴合于所述模粒的凹槽中；及待所述树脂材料已硬化后，将所述塑胶壳体脱模。本专利技术还提供一种发光二极管的导线架，其特点在于，包含多个引脚，所述引脚包含相连的一内引脚与一外引脚，所述内引脚供与一发光芯片电性连接，且其具有一弯折部，使其形成末端较高的折弯阶层，而所述外引脚则供与外部电路连接。上述发光二极管的导线架，其特点在于，所述内引脚末端端缘成凹弧状，且所述内引脚末端的凹弧状端缘共圆。上述发光二极管的导线架，其特点在于，所述引脚数量为4个。上述发光二极管的导线架，其特点在于，所述内引脚上具有一透孔。本专利技术的功效，在于可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：一金属基座；一导线架，具有多个引脚，各该引脚分别具有一焊线区，所述焊线区环设于所述金属基座顶侧周缘；一塑胶壳体，包覆所述金属基座周缘与所述导线架，其具有一开口暴露所述金属基座 顶面中央区域，而形成一反射杯，并露出所述引脚外端及所述焊线区；至少一发光芯片，结合于所述反射杯中的金属基座顶面，并通过多个焊线电性连接所述焊线区；及一透镜，封装所述塑胶壳体。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含一金属基座；一导线架，具有多个引脚，各该引脚分别具有一焊线区，所述焊线区环设于所述金属基座顶侧周缘；一塑胶壳体，包覆所述金属基座周缘与所述导线架，其具有一开口暴露所述金属基座顶面中央区域，而形成一反射杯，并露出所述引脚外端及所述焊线区；至少一发光芯片，结合于所述反射杯中的金属基座顶面，并通过多个焊线电性连接所述焊线区；及一透镜，封装所述塑胶壳体。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述金属基座顶面具有一平台，位于所述反射杯中，且所述发光芯片位于所述平台上。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述金属基座周缘外突一延伸部。4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述引脚具有相连的一内引脚与一外引脚，所述内引脚具有一弯折部，使其形成末端较高的折弯阶层，且所述焊线区位于所述内引脚上，而所述外引脚则供与外部电路连接。5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述内引脚末端端缘成凹弧状，且所述内引脚末端的凹弧状端缘共圆。6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述导线架的引脚与所述焊线区的数量为4个。7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述塑胶壳体周缘具有较高的一侧墙。8.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述侧墙内具有高度低于所述侧墙的接合部。9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述塑胶壳体由PPA材料制作。10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透镜由一激光材料形成。11.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透镜由含有一激光材料的一树脂形成。12.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，还包含一内胶覆盖于所述反射杯与所述焊线区。13.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述内胶含有一激光材料。14.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述内胶为一激光材料。15.一种发光二极管封装方法，其特征在于，包含以下步骤步骤41，以埋入射出方式，射出成形多个塑胶壳体于一支架的多个导线架上，所述塑胶壳体分别包覆一金属基座，且形成一反射杯于所述金属基座露出的顶面上，并露出所述导线架的多个焊线区；步骤42，分别接合至少一发光芯片于所述反射杯中的所述金属基座顶面；步骤43，以多个焊线电性连接所述发光芯片与所述焊线区；及步骤44，封装所述塑...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世辉，高湘凯，林俞延，何立仁，
申请(专利权)人：联欣光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]