压模、刻印方法及信息记录媒体制造方法技术

本发明专利技术的压模，横幅Ｗ（Ｗ１～Ｗ３）不同的多种凸部（３５ａ１～３５ａ３，３５ａ，３５ａ…）从表面突出形成凹凸图案（３５），凹凸图案（３５）使各凸部（３５ａ，３５ａ…）形成为，与横幅（Ｗ）小的凸部（３５ａ）（凸部３５ａ１）相比，横幅（Ｗ）大的凸部（３５ａ）（凸部３５ａ３）的从压模（２０）的从表面至背面之间规定的基准面（Ｘ）与凸部（３５ａ）的前端之间的距离（Ｌ）长。本发明专利技术能提供一种能高精度地形成具有所需横幅的凹部的凹凸图案的压模。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造信息记录媒体等时使用的刻印用的压模、将压模对基材表面形成的树脂层按压以将其凹凸形状进行转印的刻印方法、以及利用转印在树脂层上的凹凸图案来制造信息记录媒体的信息记录媒体制造方法。
技术介绍
在制造半导体元件或信息记录媒体等的工序中，作为在基材表面上形成的抗蚀剂层上形成细微的凹凸图案(抗蚀膜图案)的方法，已知有光刻法。在该光刻法中，将曝光用的光照射基材上形成的抗蚀剂层，在形成曝光图案后，通过对抗蚀剂层进行显像处理，在基材上形成凹凸图案。近年来，作为应对半导体元件的高密度化和信息记录媒体的大容量化的技术，开发了一种通过将电子束代替光进行照射以描绘纳米尺寸的图案，从而形成凹凸图案的电子束刻法。但是，在该电子束刻法中，图案相对于抗蚀剂层的描绘需要很长时间，存在难以大量生产的问题。作为解决该问题的技术，在美国专利5772905号说明书中揭示了一种将形成了纳米尺寸的凹凸图案的压模在基材上的树脂层上按压，将压模的凹凸形状转印在树脂层上，在下基材上形成纳米尺寸的凹凸图案的纳米刻印法(形成纳米尺寸的凹凸图案的刻印方法，以下也称为“刻印方法”)。在该刻印方法中，首先，如该说明书的附图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻印用的压模，其特征在于，横幅不同的多种凸部从表面突出形成凹凸图案，所述凹凸图案使各凸部形成为，与所述横幅小的所述凸部相比，该横幅大的所述凸部的从所述表面至背面之间规定的基准面与该凸部的前端之间的距离长。

【技术特征摘要】
JP 2004-6-10 2004-1723971.一种刻印用的压模，其特征在于，横幅不同的多种凸部从表面突出形成凹凸图案，所述凹凸图案使各凸部形成为，与所述横幅小的所述凸部相比，该横幅大的所述凸部的从所述表面至背面之间规定的基准面与该凸部的前端之间的距离长。2.如权利要求1所述的压模，其特征在于，所述凹凸图案形成为，至少具有1个所述横幅为150nm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部一博，藤田实，大川秀一，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]