薄膜集成电路及制造该薄膜集成电路、CPU、存储器、电子卡和电子设备的方法技术

对薄膜集成电路施以硅化物自对准工艺，而不必担心对玻璃基底的损害，因此能够实现电路的高速运行。在玻璃基底上形成金属基膜、氧化物和绝缘基膜。在绝缘基膜上形成具有侧壁的ＴＦＴ，形成覆盖ＴＦＴ的金属膜。通过ＲＴＡ等，在不引起基底收缩的温度进行退火，在源和漏区中形成高电阻金属硅化物层。去除未反应的金属膜之后，进行第二次退火的激光照射，因此发生硅化物反应，高电阻金属硅化物层变成低电阻金属硅化物层。在第二次退火中，金属基膜吸收并且积累激光照射的热量，除了激光照射的热量之外，还向半导体层提供金属基膜的热量，从而提高源和漏区中的硅化物反应的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成于绝缘基底例如玻璃上的薄膜晶体管(以下称为TFT)和包括多个TFT的薄膜集成电路，及其制造方法。2.已有技术为了实现电路的高速运行，在采用硅晶片的大规模集成电路(以下称为LSI)中，源区、漏区和栅电极使用硅化物，从而降低源区和漏区的电阻，以此降低接触电阻。Salicide(自对准硅化物)是一种按自对准方式以MOS晶体管的扩散层形成硅化物的公知工艺(例如，参考文献1Innovation of Logic LSI technology editedby Kenji Maeguchi，Masao Fukuma，Sotoju Asai，Science Forum pp.238～241)。图5A～5D分别展示了典型的salicide工艺。这种工艺采用两步退火方法。首先，形成金属膜506，覆盖包括均形成在硅基底501上的扩散层502、场氧化膜503、侧壁504和栅电极505的MOS晶体管(图5A)。Ti、Co或Ni可以用做金属膜506。作为金属膜506，可以在金属膜上形成TiN，用做抗氧化膜。形成金属膜506后，对MOS晶体管进行第一次退火(图5B)。对于第一次退火，许多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜集成电路，包括：　　　　玻璃基底；　　　　位于玻璃基底上的金属膜；　　　　位于金属膜上的绝缘膜；和　　　　位于绝缘膜上的薄膜晶体管；　　　　其中，至少在薄膜晶体管的源区和漏区之一中包含硅化物。

【技术特征摘要】
JP 2004-4-23 128735/041.一种薄膜集成电路，包括玻璃基底；位于玻璃基底上的金属膜；位于金属膜上的绝缘膜；和位于绝缘膜上的薄膜晶体管；其中，至少在薄膜晶体管的源区和漏区之一中包含硅化物。2.根据权利要求1的薄膜集成电路，其中，金属膜防止玻璃基底与绝缘膜接触。3.根据权利要求1的薄膜集成电路，其中，在薄膜晶体管的栅电极的侧面形成侧壁。4.根据权利要求1的薄膜集成电路，其中，金属膜是选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt之中的一种元素，或者是主要含有这些元素的合金材料或化合物材料。5.根据权利要求1的薄膜集成电路，其中，薄膜集成电路被并入到CPU中。6.根据权利要求1的薄膜集成电路，其中，薄膜集成电路被并入到电子卡中。7.根据权利要求1的薄膜集成电路，其中，薄膜集成电路被并入到选自显示装置、数字照相机、计算机、移动计算机、便携式图像重放装置、游戏机、摄像机和蜂窝电话之中的一种电子装置中。8.一种薄膜集成电路的制造方法，包括以下工序在玻璃基底上形成第一金属膜；在第一金属膜上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第二金属膜；通过热处理至少在薄膜晶体管的源区和漏区之一中形成硅化物；去除第二金属膜；和用激光至少照射薄膜晶体管，降低硅化物的电阻。9.根据权利要求8的方法，其中，在等于或小于玻璃基底的玻璃化转变点的温度进行热处理。10.根据权利要求8的方法，其中，第一金属膜是选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt之中的一种或多种元素，或者是主要含有这些元素的合金材料或化合物材料。11.根据权利要求8的方法，其中，第二金属膜是选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt之中的一种元素，或者是主要含有这些元素的合金材料或化合物材料。12.根据权利要求8的方法，其中，在形成薄膜晶体管的工序中，在栅电极的侧面形成侧壁。13.根据权利要求8的方法，其中，薄膜集成电路被并入到CPU中。14.根据权利要求8的方法，其中，薄膜集成电路被并入到电子卡中。15.根据权利要求8的方法，其中，薄膜集成卡被并入到选自显示装置、数字照相机、计算机、移动计算机、便携式图像重放装置、游戏机、摄像机和蜂窝电话之中的一种电子装置中。16.一种薄膜集成电路的制造方法，包括以下工序在玻璃基底上形成第一金属膜；在第一金属膜上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第二金属膜；通过热处理至少在薄膜晶体管的源区和漏区之一中形成第一硅化物；去除第二金属膜；用激光至少照射薄膜晶体管，降低硅化物的电阻；在薄膜晶体管上形成层间绝缘膜；用夹在其间的粘结层把第二基底粘附在层间绝缘膜上；在绝缘膜内或者在金属膜与绝缘膜之间的界面分离玻璃基底和第一金属膜。17.根据权利要求16的方法，其中，在等于或小于玻璃基底的玻璃化转变点的温度进行热处理。18.根据权利要求16的方法，其中，第一金属膜是选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt之中的一种或多种元素，或者是主要含有这些元素的合金材料或化合物材料。19.根据权利要求16的方法，其中，第二金属膜是选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt之中的一种元素，或者是主要含有这些元素的合金材料或化合物材料。20.根据权利要求16的方法，其中，在形成薄膜晶体管的工序中，在栅电极的侧面形成侧壁。21.根据权利要求16的方法，其中，薄膜集成电路被并入到CPU中。22.根据权利要求16的方法，其中，薄膜集成电路被并入到电子卡中。23.根据权利要求16的方法，其中，薄膜集成卡被并入到选自显示装置、数字照相机、计算机、移动计算机、便携式图像重放装置、游戏机、摄像机和蜂窝电话之中的一种电子装置中。24.一种薄膜集成电路的制造方法，包括以下工序在玻璃基底上形成第一金属膜；在第一金属膜上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口哲司，矶部敦生，斋藤晓，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]