一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法技术

本发明专利技术有关一种无源漏重掺杂ＮＭＯＳ器件的制备方法，其在常规工艺的多晶硅栅积以后，对ＮＭＯＳ栅进行选择性离子注入，然后作栅的刻蚀工艺，接着进行缓变结离子注入，最后作自对准硅化物。本发明专利技术选择性地对ＮＭＯＳ进行离子注入，一方面减小晶体管的多晶硅耗尽，另一方面用来调节多晶硅电阻率。取消高剂量的源漏注入，采用低剂量高能量离子注入取代，有效地降低热载流子效应，提高器件的成品率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种NMOS器件的制备方法，尤其是一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法。
技术介绍
常规的器件工艺中，都有重掺杂的源漏离子注入，具体的功能如下1.满足器件的驱动电流；2.满足无硅化物多晶硅的面电阻；3.获得足够小的源漏结电容；4.实现源漏的欧姆接触；5.减小源漏区的串联电阻。在现代半导体工艺中，硅化物用来替换常规的金-半欧姆接触，而且硅化物使得源漏区的串联电阻已经足够小，而且器件的驱动电流多由低掺杂源漏区(LDD)决定。但考虑到高剂量源漏注入的其它功能，人们还是习惯运用它。但高剂量的源漏注入带来了一些弊端，主要是由于高剂量的源漏注入，杂质可以由源漏区(SD)横向扩散到低掺杂源漏区(LDD)，引起高的沟道横向电场，发生较多的碰撞电离，引发热载流子效应(HCI)问题，造成器件的可靠性下降。
技术实现思路
为改变已有技术中的缺陷，本专利技术的目的在于通过改变NMOS器件源漏的注入方式来减小热载流子效应，进而提高器件的可靠性。为了实现本专利技术的专利技术目的，本专利技术的一种无源漏重掺杂的NMOS器件的制备方法，其特征在于在多晶硅栅积以后，对NMOS栅进行选择性离子注入，然后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无源漏重掺杂ＮＭＯＳ器件的制备方法，其特征在于：在多晶硅栅积以后，对ＮＭＯＳ栅进行选择性离子注入，然后作栅的刻蚀工艺，接着进行缓变结离子注入，最后作自对准硅化物。

【技术特征摘要】
1.一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法，其特征在于在多晶硅栅积以后，对NMOS栅进行选择性离子注入，然后作栅的刻蚀工艺，接着进行缓变结离子注入，最后作自对准硅化物。2.如权利要求1所述的无源漏重掺杂NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]