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本发明有关一种无源漏重掺杂ＮＭＯＳ器件的制备方法，其在常规工艺的多晶硅栅积以后，对ＮＭＯＳ栅进行选择性离子注入，然后作栅的刻蚀工艺，接着进行缓变结离子注入，最后作自对准硅化物。本发明选择性地对ＮＭＯＳ进行离子注入，一方面减小晶体管的多晶硅耗...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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